[实用新型]用于晶体生长的热屏蔽内层有效
| 申请号： | 201320005720.8 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN203096237U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 谢华祥 | 申请（专利权）人： | 成都市倍通高温材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611500 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶体生长 屏蔽 内层 | ||
【权利要求书】：
一种用于晶体生长的热屏蔽内层，其特征在于：所述热屏蔽内层由一组组件叠砌而成，所述组件包括圆弧形基体，该圆弧形基体两侧分别带有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方为第一空体，所述第二凸起后方为第二空体；所述第一凸起与相邻组件第二空体相吻合，所述第二凸起与相邻组件第一空体相吻合。
根据权利要求1所述的用于晶体生长的热屏蔽内层，其特征在于：所述组件材料为氧化锆。
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