[实用新型]一种影像传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种感光元件，具体的是一种影像传感器。

背景技术

传统的影像传感器在硅晶圆背面减薄后，会生长一蒸气氧化物，其厚度约为（埃），蒸气氧化物的作用在于硅表面处理，减少表面缺陷。接着淀积高介质层，所述高介质层可以为氧化铪、氧化钽、氧化锆等等，然后淀积金属遮蔽层，防止色彩串扰，最后就是滤光片及微透镜等后续工艺。

但是这种结构的影像传感器存在一个问题，因蒸气氧化物很薄，对热膨胀影响几乎忽略不计，硅晶圆的热膨胀系数约为2.5E-6m/K,而高介质层（一般为Hf2O5）的热膨胀系数为5.8E-6m/K,两者相差很大，在后续热处理中因膨胀与收缩的不同，极易造成剥落的问题。

对于薄膜剥落的问题,现有解决方案一般会通过表面清洗增加薄膜间的粘度来解决，但是这种效果并不好，因为薄膜间的粘度很大程度上是由其相互本身的性质决定的。目前急需要一种更好的解决方法来解决薄膜脱落的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种影像传感器来解决薄膜脱落的问题。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种影像传感器，包括硅晶圆，所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物，所述蒸汽氧化物上有高介质层，所述高介质层上附着有金属遮蔽层，所述金属遮蔽层上附着有滤光片及透光镜，所述滤光片位于所述金属遮蔽层和所述透光镜之间，还包括热膨胀缓冲层，所述热膨胀缓冲层位于所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间，所述膨胀缓冲层附着在所述蒸汽氧化物上。

本实用新型的有益效果是：在所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间增加了热膨胀缓冲层，使本实用新型在外界温度产生变化的时候，所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间有一个热缓冲的过渡，较好的解决了薄膜脱落的问题。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述热膨胀缓冲层的热膨胀系数在2.5E-6m/k～5.8E-6m/k之间。

进一步，所述热膨胀缓冲层的厚度在（埃，厚度单位，）之间。

进一步，所述热膨胀缓冲层为氧化物或氮化物或氮氧化物。

采用上述进一步方案的有益效果是，选择合适的热膨胀系数的材料作为本实用新型的热膨胀缓冲层，并控制其厚度，使所述热膨胀缓冲层在起到热缓冲作用的同时也不影响其它工艺的加工。

附图说明

图1为现有的影像传感器的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、硅晶圆，2、蒸汽氧化物，3、高介质层，4、金属遮蔽层，5、滤光片及微透镜，6、热膨胀缓冲层。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

图1为现有的影像传感器，可以清楚的看到不包括热膨胀缓冲层6。

图2为本实用新型的具有热膨胀缓冲层的影像传感器，即一种影像传感器，如图2所示，包括硅晶圆1，所述硅晶圆1上附着有蒸汽氧化物2，所述蒸汽氧化物2上有高介质层3，所述高介质层3可以为氧化铪、氧化钽、氧化锆等等，所述高介质层3上附着有金属遮蔽层4，所述金属遮蔽层4上附着有滤光片及透光镜5，所述滤光片位于所述金属遮蔽层4和所述透光镜之间，还包括热膨胀缓冲层6，所述热膨胀缓冲层6位于所述蒸汽氧化物2和所述高介质层3之间，所述膨胀缓冲层6附着在所述蒸汽氧化物2上。

所述热膨胀缓冲层6的热膨胀系数在2.5E-6m/k～5.8E-6m/k。（2.5E-6m/k～5.8E-6m/k即2.5*10^-6m/k～5.8*10^-6m/k）之间。所述热膨胀缓冲层的厚度在之间。所述热膨胀缓冲层为氧化物或氮化物或氮氧化物。所述热膨胀缓冲层的生长方式为热生长或者化学气相沉积。

本实用新型在硅晶圆生长蒸气氧化物后，淀积一热膨胀缓冲层，来缓解硅晶圆与高介质层之间的热膨胀系数的差异而在后续热处理工艺时导致薄膜的剥落现象，造成产能下降以及产品的可靠性不足等问题。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。