[实用新型]带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路

权利要求书

1.一种带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路，其特征在于，包括：

一用于驱动电机的输出功率驱动电路；

一逻辑控制器，控制所述功率驱动电路；

一死区控制电路，将输出信号送至所述的的逻辑控制器，用于消除输出贯通现象；

一滞洄比较器，将霍尔传感器的输出信号放大处理后送至所述的死区控制电路；

一霍尔传感器，用于检测电机的位置；以及

一内部参考电压源，给所述的霍尔传感器供电。

2.根据权利要求1所述的带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述内部参考电压源具有一2.7V电压输出端，该输出端为所述霍尔传感器供电，且具有温度补偿作用，补偿霍尔传感器的温度系数。

3. 根据权利要求1所述的带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述霍尔传感器集成在芯片内部。

4. 根据权利要求1所述的带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述死区控制电路包括晶体管Q5~Q18、电阻R1~R7、一电流源、一内部参考电压源输入端以及第一至四控制信号输入端D、A、B、C；所述晶体管Q5~Q10的射极以及电流源的一端与所述内部参考电压源输入端连接；所述电流源的另一端与所述晶体管Q11~Q18的基极连接；所述晶体管Q5的基极与所述晶体管Q6的集电极、晶体管Q16的集电极连接；所述晶体管Q5的集电极经电阻R1与所述晶体管Q17的集电极连接；所述第一控制信号输入端D与所述晶体管Q17的集电极连接；所述晶体管Q18的集电极和基极相连接；该晶体管Q18的射极接地；所述晶体管Q17的射极经电阻R7接地；所述晶体管Q16的射极经电阻R6接地；所述晶体管Q13的射极经电阻R5接地；所述晶体管Q12的射极经电阻R4接地；所述晶体管Q11的射极经电阻R3接地；所述晶体管Q6的基极与所述晶体管Q7的基极和集电极连接；所述晶体管Q7的集电极与所述晶体管Q15的集电极连接，所述第二控制信号输入端A与所述晶体管Q15的基极连接；所述晶体管Q15的射极与所述晶体管Q13的集电极以及晶体管Q14的射极连接；所述晶体管Q14的基极与所述第三控制信号输入端B连接；该晶体管Q14的集电极与所述晶体管Q8的集电极和基极连接；所述晶体管Q8的基极与所述晶体管Q9的基极连接；所述晶体管Q9的集电极与所述晶体管Q10的基极以及晶体管Q12的集电极连接；所述晶体管Q10的集电极经电阻R2与所述晶体管Q11的集电极连接；所述第四控制信号输入端C与所述晶体管Q11的集电极连接。

5. 根据权利要求1所述的带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述输出功率驱动电路采用H桥结构。