[实用新型]带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及到集成电路领域，具体是带有防止贯通电路的单相电机驱动集成电路。 

背景技术

单相电机驱动电路的输出级一般都采用H桥结构，前级通过霍尔传感器感应位置，实现无刷换相功能。 但是H桥结构的输出驱动，在换向的过程中，非常容易出现上下管贯通的现象。如图1中的101模块，101模块就是H桥输出驱动模块，假设在换向之前Q1和Q4导通，此时电流路径为：通过VCC经Q1到L，然后再流向Q4到地。此时Q2和Q3是关闭的。当换向之后Q1和Q4关闭，Q2和Q3导通，此时电流的路径为：VCC经过Q2到L，然后再流向Q3到地。这是理想状态下的换向，实际上在换向的瞬间，由于电感是储能元器件，加上输出管是功率管，关断时间都有延迟，这样很容就会出现Q1和Q3或者Q2和Q4同时导通的情况.这样VCC到GND就会形成一个通路，出现大的电流，很容易造成芯片烧毁。这就是采用H桥电路容易出现的贯通现象。

 如果发明一种电路消除贯通现象，可以有效的保护芯片，防止发生烧毁的现象，增加芯片的可靠性。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一款单相直流电机驱动集成电路，其内部含有防止贯通现象的电路，能够有效的增加芯片的可靠性。

本实用新型采用以下方案实现：一种带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路，其特征在于，包括：

一用于驱动电机的输出功率驱动电路；

一逻辑控制器，控制所述功率驱动电路；

一死区控制电路，将输出信号送至所述的的逻辑控制器，用于消除输出贯通现象；

一滞洄比较器，将霍尔传感器的输出信号放大处理后送至所述的死区控制电路；

一霍尔传感器，用于检测电机的位置；以及

一内部参考电压源，给所述的霍尔传感器供电。

在本实用新型一实施例中，所述内部参考电压源具有一2.7V电压输出端，该输出端为所述霍尔传感器供电，且具有温度补偿作用，补偿霍尔传感器的温度系数。

在本实用新型一实施例中，所述霍尔传感器集成在芯片内部。

在本实用新型一实施例中，所述死区控制电路包括晶体管Q5~Q18、电阻R1~R7、一电流源、一内部参考电压源输入端以及第一至四控制信号输入端D、A、B、C；所述晶体管Q5~Q10的射极以及电流源的一端与所述内部参考电压源输入端连接；所述电流源的另一端与所述晶体管Q11~Q18的基极连接；所述晶体管Q5的基极与所述晶体管Q6的集电极、晶体管Q16的集电极连接；所述晶体管Q5的集电极经电阻R1与所述晶体管Q17的集电极连接；所述第一控制信号输入端D与所述晶体管Q17的集电极连接；所述晶体管Q18的集电极和基极相连接；该晶体管Q18的射极接地；所述晶体管Q17的射极经电阻R7接地；所述晶体管Q16的射极经电阻R6接地；所述晶体管Q13的射极经电阻R5接地；所述晶体管Q12的射极经电阻R4接地；所述晶体管Q11的射极经电阻R3接地；所述晶体管Q6的基极与所述晶体管Q7的基极和集电极连接；所述晶体管Q7的集电极与所述晶体管Q15的集电极连接，所述第二控制信号输入端A与所述晶体管Q15的基极连接；所述晶体管Q15的射极与所述晶体管Q13的集电极以及晶体管Q14的射极连接；所述晶体管Q14的基极与所述第三控制信号输入端B连接；该晶体管Q14的集电极与所述晶体管Q8的集电极和基极连接；所述晶体管Q8的基极与所述晶体管Q9的基极连接；所述晶体管Q9的集电极与所述晶体管Q10的基极以及晶体管Q12的集电极连接；所述晶体管Q10的集电极经电阻R2与所述晶体管Q11的集电极连接；所述第四控制信号输入端C与所述晶体管Q11的集电极连接。

在本实用新型一实施例中，所述输出功率驱动电路采用H桥结构。

本实用新型的有益效果是：通过增加死区时间控制电路，消除单相直流电机驱动电路中的贯通现象，减少了芯片烧毁的风险，有效的增加了芯片的可靠性。

附图说明

图1 带有防止贯通电路的单相直流电机驱动集成电路的方框图

图2 死区时间控制电路图

图3 防止贯通现象产生的波形图

Vref：内部参考电压源                    霍尔传感器：内置霍尔传感器

A1：滞洄比较器                          103：死区控制电路

102：逻辑控制器                         101：输出功率驱动电路

Q1/Q2/Q3/Q4：输出功率驱动管             D1/D2/D3/D4：续流二极管