[实用新型]FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构有效
申请号: | 201320041174.3 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN203092725U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 高伟华 | 申请(专利权)人: | 昆山尼赛拉电子器材有限公司 |
主分类号: | B28B7/00 | 分类号: | B28B7/00;H01F41/02 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | fet 铁氧体 成型 改良 结构 | ||
一种FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构,包括上模底座(1),该上模底座(1)的成型面上间隔固设有第一、二压块(2、3),该第一、二压块(2、3)的横截面均呈长条形结构,且该长条形结构的两端均朝同向弯折延伸形成足部(4),所述第一压块(2)的两足部朝向第二压块(3)两足部的背面,以成型上模的使用方向为基准,其特征在于:第一压块(2)两足部下端面上分别形成有一第一倾斜面(21),且两所述第一倾斜面(21)相对设置;第二压块(3)两足部下端面上分别形成有一第二倾斜面(31),且两所述第二倾斜面(31)相对设置。
根据权利要求1所述FET型铁氧体磁芯成型上模的改良结构,其特征在于:所述第一、二倾斜面(21、31)的高度均为0.10mm。
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