[实用新型]双极型纵向平面式晶体管有效
| 申请号： | 201320048768.7 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN203179894U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李红伟;吴耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 215617 江苏省张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极型 纵向 平面 晶体管 | ||
1.双极型纵向平面式晶体管，其特征在于：包括P型半导体衬底(1)；位于P型半导体衬底(1)顶部的N型非本征集电区(2)和掺入P型杂质元素的下隔离层(5)；位于P型半导体衬底(1)上方的本征集电区(4)；位于本征集电区(4)顶部的掺入N型杂质元素且连接非本征集电区(2)的插塞(6)；位于本征集电区(4)顶部的掺入P型杂质元素且与下隔离层(5)连通的上隔离层(7)；位于本征集电区(4)顶部的掺入P型杂质元素的本征基区(8)；位于本征基区(8)顶部的掺入P型杂质的非本征基区(9)；位于本征集电区(4)顶部的第一电介质膜层(10)；位于本征基区(8)顶部的掺入N型杂质的发射区(11)；位于插塞(6)顶部的掺入N型杂质的集电极区(12)；位于发射区(11)和集电极区(12)上方的与第一电介质膜层(10)厚度相等的第二电介质膜层(13)；位于第一电介质膜层(10)和第二电介质膜层(13)中，分别位于发射区(11)、非本征基区(9)、集电极区(12)的区域的引线孔(14)；以及设置在前述引线孔(14)内的金属布线。
2.根据权利要求1所述的双极型纵向平面式晶体管，其特征在于：所述非本征集电区(2)的方块电阻为11～15欧姆/方块。
3.根据权利要求1所述的双极型纵向平面式晶体管，其特征在于：所述插塞(6)的方块电阻为1～3欧姆/方块。
4.根据权利要求1所述的双极型纵向平面式晶体管，其特征在于：所述本征基区(8)的方块电阻为290～310欧姆/方块。
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