[实用新型]一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置

权利要求书

1.一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中：

所述待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻R1连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端。

2.根据权利要求1所述的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，所述电流测量电路的量程，主要包括200uA、20uA、2uA和200nA；相应地，所述电阻R1的阻值范围为10～5MΩ。

3.根据权利要求2所述的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，当待测量半导体分立器件Q1的最高测试电压为2000V时，电流测量电路的量程选择200uA，电阻R1的阻值为10MΩ。

4.根据权利要求2所述的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，当待测量半导体分立器件Q1的最高测试电压为1000V时，电流测量电路的量程选择200nA，电阻R1的阻值为5MΩ。