[实用新型]一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体分立器件测试系统领域，具体地，涉及一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置。

背景技术

在半导体分立器件测试系统中，需要对分立器件进行电压测试；一般地，电压测试量程需达到2000V。

但是，如果利用常规电压表(参见图1)对分立器件进行电压测试，则至少存在如下缺陷：一方面，常规高压表的电压精度较低(一般为3％)；另一方面，常规高压表的价格昂贵。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术中至少存在测试精度低、可靠性差和成本高等缺陷。

发明内容

本实用新型的目的在于，针对上述问题，提出一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，以实现测试精度高、可靠性好和成本低的优点。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中：

所述待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻R1连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端。

进一步地，所述电流测量电路的量程，主要包括200uA、20uA、2uA和200nA；相应地，所述电阻R1的阻值范围为10～5MΩ。

进一步地，当待测量半导体分立器件Q1的最高测试电压为2000V时，电流测量电路的量程选择200uA，电阻R1的阻值为10MΩ。

进一步地，当待测量半导体分立器件Q1的最高测试电压为1000V时，电流测量电路的量程选择200nA，电阻R1的阻值为5MΩ。

本实用新型各实施例的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，由于包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1；待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与高压源连接，并经过电阻R1连接至电流测试电路的输入端；电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端；可以利用半导体分立器件测试系统中已经存在的电流测量电路，以降低成本、并提高测量精度；从而可以克服现有技术中测试精度低、可靠性差和成本高的缺陷，以实现测试精度高、可靠性好和成本低的优点。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为常规高压表的工作原理示意图；

图2为本实用新型基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置的工作原理示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

根据本实用新型实施例，提供了一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置。如图2所示，本实施例的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中：待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与高压源连接，并经过电阻R1连接至电流测试电路的输入端；电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端。这里，虚地是深度电压并联负反馈放大器的重要特点；是指集成运放的反相输入端为虚地点，即电压u_＝0。

在上述实施例中，电流测量电路的量程，可以包括200uA、20uA、2uA和200nA；相应地，电阻R1的阻值范围可以为10～5MΩ。

例如，当待测量半导体分立器件Q1的最高测试电压为2000V时，电流测量电路的量程选择200uA，电阻R1的阻值为10MΩ。

又如，当待测量半导体分立器件Q1的最高测试电压为1000V时，电流测量电路的量程选择200nA，电阻R1的阻值为5MΩ。