[实用新型]传感器

权利要求书

1.一种传感器，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括栅极层、有源层和源漏极层；其特征在于：所述栅极层包括栅极和公共电极，位于所述栅极层的公共电极和位于所述源漏极层的源极之间形成存储电容。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述源漏极层位于所述衬底基板上，包括相对而置的源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有沟道，且所述源极用于作为存储电容的一个极板；

所述像素单元还包括：

位于所述源极和漏极上的欧姆接触层，所述有源层位于所述欧姆接触层上且覆盖所述沟道；

位于所述有源层、衬底基板和源极上的栅极绝缘层，所述栅极和公共电极位于所述栅极绝缘层上且所述公共电极用于作为存储电容的另一个极板；

位于所述栅极和公共电极上的钝化层，所述钝化层中与所述源极对应的位置形成信号引导区过孔；

位于钝化层上的用于收集载流子的导电薄膜层，所述导电薄膜层通过信号引导区过孔与所述源极接触。

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述栅极和公共电极位于所述衬底基板上，所述公共电极用于作为存储电容的一个极板；

所述像素单元还包括：

位于所述栅极和公共电极上的栅极绝缘层，所述有源层位于所述栅极绝缘层上；所述源漏极层位于所述有源层上，包括相对而置的源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有沟道，且所述源极用于作为存储电容的另一个极板；

位于所述源漏极层上的钝化层，所述钝化层中与所述源极对应的位置形成信号引导区过孔；

位于钝化层上的用于收集载流子的导电薄膜层，所述导电薄膜层通过信号引导区过孔与所述源极接触。

4.根据权利要求2或3所述的传感器，其特征在于，所述栅极和公共电极位于同一层，所述源极和漏极位于同一层。

5.根据权利要求2或3所述的传感器，其特征在于，还包括位于所述导电薄膜层上的光电转化层。

6.根据权利要求2或3所述的传感器，其特征在于，还包括位于所述衬底基板上的呈交叉排列的一组栅线和一组数据线，所述像素单元位于栅线和数据线所界定的阵列内；所述漏极与相邻的数据线连接，所述栅极与相邻的栅线连接。

7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述数据线与源极和漏极位于同一层，所述栅线与栅极和公共电极位于同一层。

8.根据权利要求2或3所述的传感器，其特征在于，所述导电薄膜层是氧化铟锡或铟锌氧化物的导电薄膜层。

9.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器为X射线传感器。