[实用新型]传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及影像检测技术，特别是涉及一种传感器。

背景技术

薄膜晶体管（The Film Transistor，简称TFT）平板X射线传感器是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像（如X光胸透）、工业检测（如金属探伤）、安保检测、航空运输等领域。

现有的TFT平板X射线传感器的结构如图1所示，依次包括：基板1、位于基板1上的栅电极10、位于栅电极10上的栅绝缘层11、位于栅绝缘层11上的有源层12A及欧姆接触层12B、位于欧姆接触层12B上且位于同一层的漏极13A、源极13B和与源极13B连接的数据线（图中未示）、位于漏极13A和源极13B上的钝化层14、位于钝化层14上的第一ITO（Indium-Tin Oxide，氧化铟锡）层15A、位于第一ITO层15A上的绝缘层16、位于绝缘层16上的第二ITO层15B、位于第二ITO层15B上的公共电极17、位于公共电极17上且用于粘合树脂层19的树脂缓冲层18、位于树脂缓冲层18上的树脂层19、以及位于树脂层19上的用于收集载流子的第三ITO层15C；光电转化层位于第三ITO层15C上；其中，第一ITO层15A与第三ITO层15C连接且第一ITO层15A用于作为存储电容的一个极板，第二ITO层15B和公共电极17连接且第二ITO层15B用于作为存储电容的另一个极板。

现有的TFT平板X射线传感器在制备过程中，一般需要经过10次构图工艺完成，而由于每一次构图工艺中一般都包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，所以构图工艺的次数可以衡量制造TFT平板X射线传感器的繁简程度，在TFT平板X射线传感器的制造过程中，采用的构图工艺的次数越少，则生产时间就越短、生产效率就越高、制造成本也就越低。

实用新型内容

本实用新型提供了一种传感器，与现有技术相比，不需要单独的第一ITO层和第二ITO层，简化了结构。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种传感器，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括栅极层、有源层和源漏极层；所述栅极层包括栅极和公共电极，位于所述栅极层的公共电极和位于所述源漏极层的源极之间形成存储电容。

可选地，所述源漏极层位于所述衬底基板上，包括相对而置的源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有沟道，且所述源极用于作为存储电容的一个极板；

所述像素单元还包括：

位于所述源极和漏极上的欧姆接触层，所述有源层位于所述欧姆接触层上且覆盖所述沟道；

位于所述有源层、衬底基板和源极上的栅极绝缘层，所述栅极和公共电极位于所述栅极绝缘层上且所述公共电极用于作为存储电容的另一个极板；

位于所述栅极和公共电极上的钝化层，所述钝化层中与所述源极对应的位置形成信号引导区过孔；

位于钝化层上的用于收集载流子的导电薄膜层，所述导电薄膜层通过信号引导区过孔与所述源极接触。

或者，可选地，所述栅极和公共电极位于所述衬底基板上，所述公共电极用于作为存储电容的一个极板；

所述像素单元还包括：

位于所述栅极和公共电极上的栅极绝缘层，所述有源层位于所述栅极绝缘层上；所述源漏极层位于所述有源层上，包括相对而置的源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有沟道，且所述源极用于作为存储电容的另一个极板；

位于所述源漏极层上的钝化层，所述钝化层中与所述源极对应的位置形成信号引导区过孔；

位于钝化层上的用于收集载流子的导电薄膜层，所述导电薄膜层通过信号引导区过孔与所述源极接触。

优选地，所述栅极和公共电极位于同一层，所述源极和漏极位于同一层。

优选地，上述传感器还包括位于所述导电薄膜层上的光电转化层。

优选地，上述传感器还包括位于所述衬底基板上的呈交叉排列的一组栅线和一组数据线，所述像素单元位于栅线和数据线所界定的阵列内；所述漏极与相邻的数据线连接，所述栅极与相邻的栅线连接。

优选地，所述数据线与源极和漏极位于同一层，所述栅线与栅极和公共电极位于同一层。

优选地，所述导电薄膜层是氧化铟锡或铟锌氧化物的导电薄膜层。

优选地，上述传感器为X射线传感器。

本实用新型提供的传感器，位于所述栅极层的公共电极和位于所述源漏极层的源极之间形成存储电容。与现有技术相比，本实用新型的传感器不需要单独的第一ITO层和第二ITO层，简化了结构，进而使得传感器的生产效率提高、制造成本下降。