[实用新型]嵌入式存储装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，更具体地说，是涉及一种嵌入式存储装置。背景技术

现有的嵌入式存储装置，如eMCP（embedded multi-chip package，内嵌式内存）、SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器）的封装结构一般如图1所示。在这种封闭结构中，各个元器件100′分散焊接在第一印刷电路板200′上，这样占用了第一印刷电路板200′表面较大的面积，导致采用封装体300′封装后整个嵌入式存储装置体积较大，从而也限制了其应用场合，如不能灵活的应用在一些小巧精致的电子产品内部结构中。而且，这种结构中，各个元器件100′通过导线400′与第一印刷电路板200′电性连接，一般情况下，所用导线100′为金线材质，由于其连接跨度较大，容易导致信号不好并且不利于生产，提高生产成本。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术之缺陷，提供一种占用空间小、封装结构合理优化、应用广泛的嵌入式存储装置。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：提供一种嵌入式存储装置，包括第一印刷电路板、置于所述第一印刷电路板上且与其电性连接的元器件以及将所述第一印刷电路板及元器件封装于一体的封装体，所述元器件至少有两个，且所述元器件包括置于所述第一印刷电路板上的第一元器件及绝缘叠置于所述第一元器件上的第二元器件，所述第一元器件与所述第一印刷电路板接触的表面设有第一焊盘，所述第一印刷电路板远离所述第一元器件的表面上设有第二焊盘，所述第一元器件的第一焊盘上连接第一导线，所述第一导线穿过所述第一印刷电路板与所述第二焊盘电连接，所述第二元器件与所述第一印刷电路板电性连接。

具体地，所述第一导线为两排，所述两排第一导线与所述第一元器件的第一焊盘电连接的一端分别连接于不同的焊点上，所述两排第一导线与所述第二焊盘电连接的另一端分别连接于不同的焊点上。

进一步地，所述第一印刷电路板上设有上、下贯穿的通槽，所述两排第一导线穿过所述通槽。

更进一步地，所述第一印刷电路板第二焊盘所在的表面上且对应所述通槽处设有胶体，所述胶体上设有用于容置且保护所述第一导线与所述第二焊盘电连接焊点的凹槽。

更进一步地，所述第一印刷电路板第二焊盘所在的表面设有若干可与外部电子产品电连接的焊球。

具体地，所述第二元器件远离所述第一元器件的表面设有第三焊盘，所述第一印刷电路板上与所述第二焊盘所在表面相对的另一表面设有第四焊盘，所述第三焊盘与所述第四焊盘之间通过第二导线电连接。

进一步地，所述第一元器件有两个，所述第二元器件跨置于所述两个第一元器件顶部。

更进一步地，还包括第三元器件，所述第三元器件绝缘置于其中一第一元器件上，所述第一印刷电路板的第四焊盘所在的表面还设有第五焊盘，所述第三元器件通过第三导线与第五焊盘电连接。

或者，还包括第三元器件及第二印刷电路板，所述第二印刷电路板绝缘叠置于其中一第一元器件上，所述第三元器件绝缘置于所述第二印刷电路板上，所述第二元器件通过第四导线与所述第二印刷电路板电连接，所述第二印刷电路板通过第五导线与所述第一印刷电路板电连接，所述第三元器件通过第六导线与所述第二印刷电路板电连接。

优选地，所述第一元器件为DDR存储器，所述第二元器件为闪存模块，所述第三器件为主控芯片。

本实用新型中，通过元器件的叠放优化嵌入式存储装置内部封装结构，从而减小其占用体积，使得嵌入式存储装置能灵活的应用在更多的小型电子产品上。

附图说明

图1是现有技术中一种嵌入式存储装置的剖视图；

图2是本实用新型提供的嵌入式存储装置的第一实施例剖视图；

图3是本实用新型提供的嵌入式存储装置的第二实施例剖视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。