[实用新型]封装基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装基板，尤指一种能提升可靠度的封装基板。

背景技术

随着电子产业的发达，现今的电子产品已趋向轻薄短小与功能多样化的方向设计，半导体封装技术也随之开发出不同的封装型态。而针对不同的封装结构，也发展出各种封装用的封装基板。一般覆晶式封装基板，其基板本体表面具有置晶区，于该置晶区中形成多个电性接触垫，且于该基板本体上形成防焊层，该防焊层具有多个开孔以对应显露该电性接触垫。于封装工艺中，于该置晶区上接置半导体芯片，且该半导体芯片以覆晶方式电性连接该电性接触垫。

图1A至图1E为现有封装基板1的制法的剖视示意图。

如图1A所示，提供一覆盖有一绝缘保护层11的基板本体10，该基板本体10的表面上具有多个电性接触垫100，且该绝缘保护层11作为防焊层并具有多个开孔110，以令该些电性接触垫100的部分顶表面对应外露于该些开孔110，使该电性接触垫100成为防焊层定义（solder mask define,SMD）的连接垫。

其中，该基板本体10包含介电层10b及设于该介电层10b上的线路层10a（如图1A’所示），该线路层10a具有多个导电迹线101及连结该导电迹线101的该些电性接触垫100，且该电性接触垫100的端面为圆面，而该开孔110为圆孔。

另外，如图1A”所示，该绝缘保护层11的开孔110也可对应外露该些电性接触垫100’的全部顶表面，使该电性接触垫100’成为非防焊层定义（non solder mask define,NSMD）的连接垫。

如图1B所示，接续图1A及图1A’的工艺，于该绝缘保护层11上形成形成一光阻层12，且该光阻层12以曝光、显影方式形成有外露该电性接触垫100的多个开口区120，又该开口区120的直径w大于该开孔110的直径v。

如图1C所示，于该开口区120电镀铜凸块13，以令该电性接触垫100电性连接该铜凸块13。

如图1D所示，移除该光阻层12。

如图1E所示，于该铜凸块13上形成焊锡凸块15，以包覆该铜凸块13。

然而，现有封装基板1的SMD的结构中，因曝光机台的对位精度e例如小于或等于12.5um，如图1B所示，致使该光阻层12的开口区120的直径w大于该绝缘保护层11的开孔110的直径v，导致该铜凸块13形成有一翼部结构130（如图1C所示），以致于各该焊锡凸块15之间需保持一定距离P以避免桥接（如图1E所示），因而无法缩小各该焊锡凸块15之间的距离P至例如130um或小于130um，进而无法满足细间距、多接点的需求。

此外，现有SMD的结构中，于进行温度循环测试（Temperature Cycling Test,TCT）时，因该翼部结构130与该绝缘保护层11之间的热膨胀系数（thermal expansion coefficient,CTE）的差异甚大，导致该翼部结构130下的绝缘保护层11将因热应力(thermal stress)不均而容易发生碎裂(Crack)现象c，如图1D所示，不仅导致该封装基板1的可靠度(reliability)下降，并将使该封装基板1的测试失败。

又，因该翼部结构130的形成，而使该开孔110的直径v小于该铜凸块13的最大直径（即该翼部结构130的直径w），致使该开孔110的直径v无法与该铜凸块13的最大直径相同，如图1D所示，所以无法增强该铜凸块13的可靠度，以致于当该焊锡凸块15进行推拉球测试时，容易发生掉球。

另外，现有SMD的结构中，如图1A’所示，该电性接触垫100与该导电迹线101之间的距离S会直接影响良率，也就是该距离S愈小，线路良率愈低。然而，现有封装基板1中，该距离S已无法再缩小，致使良率无法提升。

于另一方面，现有NSMD的结构中，如图1A”所示，因该线路层10a’与底材（即该介电层10b）的接触面积小，所以相比于现有SMD的设计，该线路层10a’的结合性较差。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本实用新型的主要目的在于提供一种封装基板，能缩小各接点间的距离，以满足细间距、多接点的需求。