[实用新型]大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架有效
申请号: | 201320059953.6 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN203218250U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 郭可桢;熊会军;徐锐 | 申请(专利权)人: | 意法半导体制造(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人: | 刘耿 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 半导体器件 以及 框架 | ||
1.一种大电流半导体器件,包括通过树脂密封封装的芯片(13),至少一栅极引脚(5)和一源极引脚(6)从所述树脂封装的侧面暴露,所述芯片(13)的表面形成源极焊盘(3)和栅极焊盘(4),所述栅极引脚(5)的接线端与所述栅极焊盘(4)键合,所述源极引脚(6)的接线端与所述源极焊盘(3)键合;
其特征在于:所述源极引脚(6)的接线端通过至少一金属带(1)与所述源极焊盘(3)键合。
2.如权利要求1所述的大电流半导体器件,其特征在于:所述源极引脚(6)的接线端通过至少两根并列的所述金属带(1)与所述源极焊盘(3)键合。
3.如权利要求2所述的大电流半导体器件,其特征在于:所述栅极引脚(5)和源极引脚(6)分别从所述树脂封装同一侧的两端暴露,所述源极引脚(6)的接线端为一横向扩展部(10),两根所述金属带(1)分别连接所述横向扩展部(10),所述横向扩展部(10)从所述源极引脚(6)向栅极引脚(5)延伸,且不与所述栅极引脚(5)接触。
4.如权利要求1所述的大电流半导体器件,其特征在于:所述栅极引脚(5)的接线端通过金属带或是金属线与所述栅极焊盘(4)键合。
5.如权利要求1所述的大电流半导体器件,其特征在于:所述金属带(1)为以下中的一种:
铝带;
铜带;
铝镁合金带;以及
镀锡铜带。
6.如权利要求1所述的大电流半导体器件,其特征在于:所述金属带(1)为扁平带状金属条,其横截面为矩形。
7.一种大电流半导体器件框架,其特征在于:包括框架本体(8)以及在所述框架本体(8)上形成的若干如权利要求1至6中任意一项所述的大电流半导体器件(7),所述大电流半导体器件(7)伸出引脚的第一端(71)连接所述框架本体(8),所述框架本体(8)上形成若干连筋部(11)和加强筋部(12),所述连筋部(11)的两端分别连接两个相邻的所述大电流半导体器件的第二端(72),或者所述连筋部(11)的一端连接一个所述大电流半导体器件的第二端(72),所述连筋部(11)的另一端通过所述加强筋部(12)连接所述框架本体(8)。
8.如权利要求7所述的大电流半导体器件框架,其特征在于:所述框架本体(8)上以若干个半导体器件为一组,一组半导体器件中相邻的两个所述大电流半导体器件的第二端(72)之间形成所述连筋部(11),每组半导体器件中两侧的所述大电流半导体器件的第二端(72)的外侧形成的所述连筋部(11)通过所述加强筋部(12)连接所述框架本体(8),所述加强筋部(12)的伸展方向与所述半导体器件的高度方向平行。
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