[实用新型]大电流半导体器件以及大电流半导体器件框架有效

专利信息
申请号: 201320059953.6 申请日: 2013-02-01
公开(公告)号: CN203218250U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 郭可桢;熊会军;徐锐 申请(专利权)人: 意法半导体制造(深圳)有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 代理人: 刘耿
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电流 半导体器件 以及 框架
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域,特别是一种大电流半导体器件。 

背景技术

半导体器件(semiconductor device)通常可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。 

半导体器件,绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管、微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄像器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 

封装时主要考虑的因素: 

1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1; 

2、引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能; 

3、基于散热的要求,封装越薄越好。 

封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。 

封装对于芯片来说是必须的,也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。采用的CPU封装多是用绝缘的塑料或陶瓷材料包装起来,能起着密封和提高芯片电热性能的作用。由于现在处理器芯片的内频越来越高,功能越来越强,引脚数越来越多,封装的外形也不断在改变。 

中国专利公开号CN102034782A公开了一种功率半导体器件的混合合金引线框架包括多个散热片、一个引脚阵列;散热片由第一种材料制成,散热片上部设有散热片定位孔,散热片的下部中央部位设有散热片焊接区,引脚阵列由与第一种材料不同的第二种材料制成,引脚阵列上下两端分别引出多个引脚端子组。将散热片定位在引线框架组焊板上,将引脚定位在引线框架组焊板上的上下散热片之间的部位,并将散热片和引脚连接构成混合合金引线框架,再经过芯片黏贴,金属联接和塑胶封模等步骤后,对整个封装阵列进行切割分离而形成独立封装的半导体 器件。该实用新型的用于功率半导体器件的混合合金引线框架的改善了引线框架的散热性能,降低引脚框架的制作成本,提高制作的灵活性。 

图1示出现有技术的一种半导体器件的内部结构示意图。如图1所示,半导体器件的内部封装芯片9’,芯片9’上形成源极焊盘3’和栅极焊盘4’,源极焊盘3’通过源极引线1’与源极引脚6’键合,栅极焊盘4’通过栅极引线2’与栅极引脚5’键合。 

图2示出现有技术的一种半导体器件框架的局部示意图。如图2所示,该半导体器件框架包括框架本体8’以及在所述框架本体8’上形成的若干半导体器件7’。 

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