[实用新型]移位寄存器单元、移位寄存器、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：

采样部分、输出部分和复位部分，

其中，所述采样部分包括第一开关管和第二开关管，所述输出部分包括第五开关管、第六开关管、第一电容和第二电容，所述复位部分包括第三开关管、第四开关管；

所述第一开关管的源极连接所述移位寄存器单元的输入端，接收来自所述输入端的输入信号，所述第一开关管的栅极连接第一时钟信号；所述第二开关管的栅极和源极连接第二时钟信号，所述第二时钟信号与所述第一时钟信号反相；所述第三开关管的栅极和源极连接所述第一时钟信号；所述第四开关管的栅极连接所述第二时钟信号，所述第四开关管的源极连接电源输入信号；所述第五开关管的源极连接所述第二时钟信号，所述第五开关管的栅极连接所述第一开关管和所述第二开关管的漏极，所述第五开关管的漏极连接所述移位寄存器单元的输出端；所述第六开关管的栅极连接所述第三开关管和所述第四开关管的漏极，所述第六开关管的源极连接所述电源输入信号，所述第六开关管的漏极连接所述移位寄存器单元的输出端；所述第一电容的一端连接所述第五开关管的栅极，另一端连接所述移位寄存器单元的输出端；所述第二电容的一端连接所述第六开关管的栅极，另一端连接所述电源输入信号。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一至第六开关管均为MOS管或薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管或为N型薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的移位寄存器单元，其特征在于，当所述第一至第六开关管均为P型薄膜晶体管时，所述电源输入信号为高电平；

在第一时间段内，所述输入信号为低电平，所述第一时钟信号为低电平，所述第二时钟信号为高电平，则所述移位寄存器单元的输出信号为高电平；

在第二时间段内，所述输入信号为高电平，所述第一时钟信号为高电平，所述第二时钟信号为低电平，则所述移位寄存器单元的输出信号为低电平；

在第三时间段内，所述输入信号为高电平，所述第一时钟信号为低电平，所述第二时钟信号为高电平，则所述移位寄存器单元的输出信号为高电平。

5.根据权利要求3所述的移位寄存器单元，其特征在于，当所述第一至第六开关管均为N型薄膜晶体管时，所述电源输入信号为低电平；

在第一时间段内，所述输入信号为高电平，所述第一时钟信号为高电平，所述第二时钟信号为低电平，则所述移位寄存器单元的输出信号为低电平；

在第二时间段内，所述输入信号为低电平，所述第一时钟信号为低电平，所述第二时钟信号为高电平，则所述移位寄存器单元的输出信号为高电平；

在第三时间段内，所述输入信号为低电平，所述第一时钟信号为高电平，所述第二时钟信号为低电平，则所述移位寄存器单元的输出信号为低电平。

6.一种移位寄存器，其特征在于，包括n个级联的如权利要求1-5任一项所述的移位寄存器单元，所述n为大于1的整数，其中，第1个所述移位寄存器单元的输入端连接至所述移位寄存器的信号输入端，第n个所述移位寄存器单元的输出端连接至所述移位寄存器的信号输出端。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求6所述的移位寄存器。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。