[实用新型]一种全玻组件有效
申请号: | 201320073728.8 | 申请日: | 2013-02-17 |
公开(公告)号: | CN203085607U | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 边超;梁玉杰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能发电技术领域,特别涉及一种全玻组件。
背景技术
在太阳能电池的技术领域中,单独的晶硅太阳能电池片发电量小,且十分易碎,实际应用中要将太阳能电池片封装成组件。
太阳能电池片之间传统的连接方式,是在相接的两个电池片的正负电极(即相接的两个电池片的主栅线)间焊接铜导带。目前,太阳能电池全玻组件的焊接工艺为热风焊接,焊接过程中会对电池片局部加热,导致电池片的弓形弯曲,从而,在将电池片封装成组件时,在层压过程中增加碎片率,由于全玻组件无法返修,因此,极大地影响了产品质量的可靠性且增加了制造成本。虽然各个组件厂家通过各种方法优化工艺流程,并研究优化焊接温度,以降低封装过程中因焊接受热而产生的电池片弯曲程度,但事实表明,电池片的弓形弯曲不能避免。由于铝浆涂层和硅层的热膨胀系数不同,因此,只要电池片受热就会产生弯曲,也就是说,只要仍然采用焊接方法,就不可避免电池片的弓形弯曲,就会导致局部应力分布不均匀而导致隐裂。此外,焊接工艺对太阳能电池片组件的影响不仅如此,在向电池片的正负电极上焊接铜导带时,实际上是将铜导带与电池片上的栅线焊接连接,由于焊接过程中的局部加热会对栅线产生均匀性的破坏,并且焊接过程中使用的助焊剂也会对电池栅线进行腐蚀,大大减少太阳能电池的工作寿命。此外,如果发生虚焊或脱焊,则将直接影响电池组件的电性能。
因此,如何避免电池片在焊接过程中受热产生的弓形弯曲,以降低全玻组件在封装过程中的碎片率,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种全玻组件,有效地降低了全玻组件在封装过程中的碎片率。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种全玻组件,包括上层玻璃和下层玻璃,以及位于所述上层玻璃和所述下层玻璃之间的多个电池片,所述上层玻璃和所述下层玻璃上分别设置有多个用于将多个所述电池片的电极依次连接的导电连接部,所述导电连接部与所述电极通过导电胶电连接。
优选地,在上述全玻组件中,所述导电连接部为通过真空蒸镀的方法附着在所述上层玻璃和所述下层玻璃上的导电铜膜。
优选地,在上述全玻组件中,所述导电铜膜上设置有用于与所述电极接触的连接凸起,所述导电连接部与所述电极通过导电胶电连接。
优选地,在上述全玻组件中,所述连接凸起的顶端到所述第一凹槽槽底的距离大于所述第一凹槽的深度。
优选地,在上述全玻组件中,所述上层玻璃和所述下层玻璃上分别设置有第一凹槽,所述第一凹槽内设置有所述导电铜膜。
优选地,在上述全玻组件中,所述第一凹槽为通过刻蚀工艺制作而成的凹槽。
优选地,在上述全玻组件中,所述导电连接部为通过胶水粘接在所述上层玻璃和所述下层玻璃上的铜导带。
优选地,在上述全玻组件中,所述上层玻璃和所述下层玻璃上分别设置有第一凹槽,所述第一凹槽内粘接有所述铜导带。
优选地,在上述全玻组件中,所述铜导带通过透明硅胶粘接在所述上层玻璃和所述下层玻璃上。
优选地,在上述全玻组件中,所述上层玻璃和/或所述下层玻璃上设置有用于封装所述电池片的第二凹槽。
从上述的技术方案可以看出,在本实用新型实施例提供的全玻组件中,上层玻璃和下层玻璃上分别设置有多个导电连接部,并且,在电池片的电极(即主栅线)上,以及导电连接部与电池片的电极对应的部分涂抹导电胶,从而将多个电池片的电极依次连接。与现有技术中在相接的电池片的电极之间焊接铜导带的连接方式相比,本实用新型实施例提供的全玻组件取消了封装过程中的焊接工艺,从而避免了助焊剂对电池栅线的腐蚀,同时也避免了电池片受热产生的弓形弯曲,因此,在将电池片封装成全玻组件时,在层压过程中的碎片率大大较少,保证了产品质量的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的全玻组件的剖面结构示意图。
具体实施方式
本实用新型公开了一种全玻组件,有效地降低了全玻组件在封装过程中的碎片率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的