[实用新型]前照式影像传感器

权利要求书

1.一种前照式影像传感器，其特征在于，包括：

半导体基底；

多个光电二极管，所述多个光电二极管形成于所述半导体基底中；

遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙形成于所述半导体基底上，且位于光电二极管的两侧。

2.如权利要求1所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述遮蔽侧墙为金属制成的遮蔽侧墙。

3.如权利要求2所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述遮蔽侧墙为铝或者铜制成的遮蔽侧墙。

4.如权利要求1所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述遮蔽侧墙的截面宽度为0.2微米～0.3微米。

5.如权利要求1所述的前照式影像传感器，其特征在于，还包括：

透光填充层，所述透光填充层形成于所述半导体基底上，且正对光电二极管。

6.如权利要求5所述的前照式影像传感器，其特征在于，还包括：

滤光片，所述滤光片位于所述透光填充层上，且正对光电二极管。

7.如权利要求5所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述透光填充层为聚酰亚胺透光填充层或者SU8透光填充层。

8.如权利要求5所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述透光填充层的厚度为1微米～2微米。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的前照式影像传感器，其特征在于，多个光电二极管分成多组，每组包括绿光光电二极管、蓝光光电二极管及红光光电二极管。