[实用新型]前照式影像传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及影像传感器技术领域，特别涉及一种前照式影像传感器。

背景技术

影像传感器是在光电技术基础上发展起来的，所谓影像传感器，就是能够感受光学图像信息并将其转换成可用输出信号的传感器。影像传感器可以提高人眼的视觉范围，使人们看到肉眼无法看到的微观世界和宏观世界，看到人们暂时无法到达处发生的事情，看到超出肉眼视觉范围的各种物理、化学变化过程，生命、生理、病变的发生发展过程，等等。可见影像传感器在人们的文化、体育、生产、生活和科学研究中起到非常重要的作用。可以说，现代人类活动已经无法离开影像传感器了。

影像传感器可依据其采用的原理而区分为电荷耦合装置（Charge-Coupled Device）影像传感器（亦即俗称CCD影像传感器）以及CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）影像传感器，其中CMOS影像传感器即基于互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术而制造。由于CMOS影像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可将影像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS影像传感器具有更广的应用前景。

按照接收光线的位置的不同，影像传感器可以分为前照式影像传感器及背照式影像传感器。请参考图1，其为现有的前照式影像传感器的结构示意图。如图1所示，所述前照式影像传感器1包括：半导体基底10；形成于所述半导体基底10中的光电二极管11；形成于所述半导体基底10上的金属连线12；及形成于所述半导体基底10上的滤光片13，且所述滤光片13与金属连线12相邻。在现有的前照式影像传感器1中，容易发生影像传感器的串扰（crosstalk）问题。具体的，如图1所示，光线L1在入射到一滤光片13（进而进入该滤光片13正对的光电二极管）之后，极易通过金属连线12的反射进入到另一滤光片13（进而进入该滤光片13正对的光电二极管）中，从而造成影像传感器的串扰问题，进而降低前照式影像传感器的质量及可靠性。

因此，如何避免/减少影像传感器的串扰问题，成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种前照式影像传感器，以解决在现有的前照式影像传感器中，存在影像传感器的串扰的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种前照式影像传感器，所述前照式影像传感器包括：

半导体基底；

多个光电二极管，所述多个光电二极管形成于所述半导体基底中；

遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙形成于所述半导体基底上，且位于光电二极管的两侧。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述遮蔽侧墙为金属制成的遮蔽侧墙。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述遮蔽侧墙为铝或者铜制成的遮蔽侧墙。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述遮蔽侧墙的截面宽度为0.2微米～0.3微米。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，还包括：

透光填充层，所述透光填充层形成于所述半导体基底上，且正对光电二极管。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，还包括：

滤光片，所述滤光片位于所述透光填充层上，且正对光电二极管。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述透光填充层为聚酰亚胺透光填充层或者SU8透光填充层。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述透光填充层的厚度为1微米～2微米。

可选的，在所述的前照式影像传感器中，多个光电二极管分成多组，每组包括绿光光电二极管、蓝光光电二极管及红光光电二极管。

在本实用新型提供的前照式影像传感器中，所述半导体基底上形成有遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙位于光电二极管的两侧，由此，通过所述遮蔽侧墙能够将入射光线限定在一光电二极管范围内，防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了前照式影像传感器的质量及可靠性。

附图说明

图1是现有的前照式影像传感器的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的前照式影像传感器的结构示意图；

图3是本实用新型实施例二提供的前照式影像传感器的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的前照式影像传感器作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

【实施例一】