[实用新型]俄歇电子能谱分析设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路设备技术领域，特别涉及一种俄歇电子能谱分析设备。

背景技术

俄歇电子能谱分析（AES）是一种利用俄歇效应的检测方法，其工作原理是通过一定能量的电子束轰击样品，使样品表层的电子电离，产生俄歇电子，通过收集和分析进入真空的俄歇电子对样品做定性定量的分析。因为俄歇电子具有相应的特征能量，不同的物质其俄歇电子的特征能量是不同的。因此，收集和分析从表层逃逸的俄歇电子，就可以确定样品的元素、含量及样品表面信息。俄歇电子能谱分析（AES）设备就是按照上述检测方法进行表面元素检测的设备。俄歇电子能谱分析（AES）设备一般包括真空腔室、电子枪和能量分析器。其中，电子枪设置于真空腔室的内部，能量分析器与真空腔室连接。检测过程如下：样品置于真空腔室中，真空腔室中的电子枪发射电子束轰击样品，样品的表面产生俄歇电子，俄歇电子从样品表面逸出进入真空，能量分析器收集和分析真空腔室内的俄歇电子的特征能量，得到俄歇电子能谱。俄歇电子能谱分析（AES）设备具有表面灵敏度高、束斑小等优点，因此广泛应用于半导体制造中。

但是，在俄歇电子能谱分析（AES）中，样品的导电性能对分析结果有很大的影响，导电性差的样品在电子束的作用下，样品表面会产生一定的负电荷积累，这就是俄歇电子能谱分析（AES）中的荷电效应。金属等导电性好的材料不会出现荷电效应，但是半导体材料的导电性能比较差，一般都会出现荷电效应。荷电效应会造成俄歇电子峰的漂移，严重时甚至得不到俄歇电子能谱，无法进行分析。

基此，如何消除荷电效应对俄歇电子能谱分析的影响成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种俄歇电子能谱分析设备以解决现有技术中荷电效应影响俄歇电子能谱分析的问题。

为解决上述问题，本实用新型提供一种俄歇电子能谱分析设备，包括；

真空腔室、电子枪、能量分析器、导电探针及探针控制器；

所述电子枪设置于真空腔室的内部，能量分析器与真空腔室连接；

所述导电探针设置于真空腔室的内部；

所述探针控制器设置于真空腔室的外部，并与所述导电探针连接。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针连接一固定电位。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针接地。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针由金属或合金制成。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述金属是钨。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述金属是铂金。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针为纳米探针。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述导电探针为微米探针。

优选的，在所述的俄歇电子能谱分析设备中，所述能量分析器包括探头和分析主机；

所述探头设置于真空腔室的内部，并与分析主机连接。

综上所述，本实用新型提供的俄歇电子能谱分析设备采用导电探针消除俄歇电子能谱分析中的荷电效应，从而能够得到清晰准确的分析结果。

附图说明

图1是本实用新型实施例的一种俄歇电子能谱分析设备的结构示意图；

图2是现有技术中未用导电探针消除荷电效应进行俄歇电子能谱分析的俄歇电子能谱；

图3是本实用新型实施例的一种俄歇电子能谱分析设备使用导电探针消除荷电效应后进行分析的俄歇电子能谱。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出一种俄歇电子能谱分析设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

经过研究发现，无论是使用导电性良好的Al箔或者In箔等包裹样品，还是在样品表面镀Pt或者C等导电性薄膜，或者用导电性较好的银胶或者碳胶在检测区域建立导电通道，都无法做到既消除荷电效应又不会带来杂质影响俄歇电子能谱分析。即现有技术中采取了很多措施，但是对于消除荷电效应一直没有能够取得很好的效果。

为此，本申请提供了一种俄歇电子能谱分析设备，在本申请提供的俄歇电子能谱分析设备中，采用导电探针消除俄歇电子能谱分析中的荷电效应，从而能够得到清晰准确的分析结果。具体方案如下：