[实用新型]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201320120447.3 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203192844U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 谢新贤;黄田昊;吴上义;吴奕均 | 申请（专利权）人： | 联京光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一金属基板；
一绝缘层，位于该金属基板上方；
一线路层，位于该绝缘层上方；
一凹槽结构，该凹槽结构设置于该金属基板上；
一反射层，设置于该凹槽结构的一第一表面上；以及
一发光二极管，设置于该凹槽结构中，且该发光二极管与该线路层电性连接。
2.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于，该凹槽结构为一光阻层。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该金属基板具有一平面，该凹槽结构设置于该平面上。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，于该金属基板上形成有一凹槽，该凹槽结构的下半部分是设置于该凹槽中。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该凹槽是藉由蚀刻该金属基板而形成。
6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该凹槽是藉由冲压该金属基板而形成。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该金属基板上形成有一凹槽，该凹槽结构设置于该凹槽的周围，且该反射层是设置于该凹槽结构的该第一表面与该凹槽的表面上。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该凹槽结构的该第一表面与该凹槽的表面相连接。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，更包括一透光封装胶体，覆盖于该发光二极管上。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该金属基板为铝、铜或其合金。
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