[实用新型]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201320120447.3 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN203192844U 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 谢新贤;黄田昊;吴上义;吴奕均 申请(专利权)人: 联京光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型是有关于一种发光二极管封装结构,且特别是有关于一种具凹槽结构的发光二极管封装结构。 

背景技术

发光二极管一般需要搭载封装结构,以应用于不同的电子产品上。针对不同的发光二极管,封装结构亦须要有对应的设计以发挥发光二极管的效能。举例来说,若封装结构仅提供平坦的平面来承载发光二极管,则发光二极管侧边发出的光线便无法被利用而造成浪费。更明确地说,相对于封装结构提供的平面,发光二极管所发出的光线大致可分为垂直于该平面的光线以及平行于该平面的光线。而为了能利用平行于封装结构平面的光线,在先前技术中,一般是在封装结构上设置凹槽,并在凹槽中涂上反射层,然后将发光二极管置入该凹槽。如此发光二极管射出平行于封装结构平面的光线便能通过涂布在凹槽内壁上的反射层反射,并由封装结构平面射出,而能够提升光萃取效率。 

然而,在先前技术中的封装结构所使用的基板一般是以塑料材质制成来降低成本,但是如此材质的散热性能较差。在当搭载的发光二极管是属于高功率的发光二极管时,此类的封装结构将无法有效地将发光二极管产生的热能散出,造成整体温度上升,最后导致热崩溃的情况。因此,先前技术改以陶瓷基板或硅基板来取代塑料基板来解决散热问题。然而陶瓷基板虽然能有效散热,但是其成本太高。硅基板则由于制程因素,无法有效降低其凹槽的尺寸来对应发光二极管的尺寸。 

发明内容

本实用新型提供一种发光二极体封装结构。该发光二极体结构包括一金属基板;一绝缘层,位于该基板上方;一线路层,位于该绝缘层上方;一凹 槽结构,该凹槽结构设置于该金属基板上;一反射层,设置于该凹槽结构的一第一表面上;以及一发光二极体,设置于该凹槽结构中。 

本新型另提供一种发光二极管封装结构的制造方法。该制造方法包括(a)提供一金属基板;(b)形成一绝缘层于该基板上;(c)形成一线路层于该绝缘层上;(d)于该金属基板上形成一凹槽结构;(e)形成一反射层,于该凹槽结构的一第一表面上;及(f)设置一发光二极管于该凹槽结构内。 

具体而言,本实用新型提供了一种发光二极管封装结构,包括:一金属基板;一绝缘层,位于该金属基板上方;一线路层,位于该绝缘层上方;一凹槽结构,该凹槽结构设置于该金属基板上;一反射层,设置于该凹槽结构的一第一表面上;以及一发光二极管,设置于该凹槽结构中,且该发光二极管与该线路层电性连接。 

优选的是,所述发光二极管封装结构,该凹槽结构为一光阻层。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,该金属基板具有一平面,该凹槽结构设置于该平面上。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,于该金属基板上形成有一凹槽,该凹槽结构的下半部分是设置于该凹槽中。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,该凹槽是通过蚀刻该金属基板而形成。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,该凹槽是通过冲压该金属基板而形成。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,该金属基板上形成有一凹槽,该凹槽结构设置于该凹槽的周围,且该反射层是设置于该凹槽结构的该第一表面与该凹槽的表面上。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,该凹槽结构的该第一表面与该凹槽的表面相连接。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,还包括一透光封装胶体,覆盖于该发光二极管上。 

优选的是,所述的发光二极管封装结构,该金属基板为铝、铜或其合金。 

本实用新型所提供的发光二极管封装结构,改以铜等金属材质来作为基 板,如此便能有效散热,而能够在即便搭载高功率的发光二极管晶粒时,仍然不会有热崩溃的情况发生,而且通过在基板上设置凹槽结构并在凹槽结构的表面涂上反射层,能够有效提升发光二极管晶粒的光萃取效率,提供给使用者更大的便利性。 

为让本实用新型的上述目的、特征和优点更能明显易懂,下文将以实施例并配合所附图示,作详细说明如下。 

附图说明

图l所示说明本实用新型的第一实施例的发光二极管封装结构的示意图。 

图2所示说明本实用新型的第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。 

图3A至图3G所示说明本实用新型的第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。 

图4所示说明本实用新型的第二实施例的发光二极管封装结构的示意图。 

图5所示说明本实用新型的第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。 

图6A至6H所示说明本实用新型的第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。 

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