[实用新型]具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池，主栅线4-15根，其特征是对于太阳电池的正面印刷的次栅线采用梯度分布设计，所述的梯度分布设计是从电池中心区域到包围中心区域往外的区域，区域之间次栅线的间距越来越大，即次栅线的分布密度越来越小。 

2.根据权利要求1所述的具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池，其特征是太阳能电池的区域从中心矩形区域往外可以分为大于等于2个矩形环区域，每个矩形环区域的次栅线间距设计为等间距，愈在外部的矩形环区域的次栅线间距愈大，间距也可设计为从电池中心区域往外依次增加的递变结构。 

3.根据权利要求1所述的具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池，其特征是晶体硅太阳能电池是具有5根主栅线的结构。 

4.根据权利要求3所述的具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池，其特征是太阳能电池的区域从中心矩形区域往外分为3个区域，中心矩形次栅线最密分布的面积为太阳能电池面积的11-20%，中心矩形相邻的矩形环区域次栅线较密分布的的面积为太阳能电池面积的33-70%，最外部的矩形环区域的次栅线间距大于中心矩形相邻的矩形环区域的次栅线间距。 

5.根据权利要求3所述的具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池，其特征是太阳能电池的区域从中心矩形区域往外分为2个区域，即中心矩形和矩形环区域，中心矩形次栅线最密分布的面积为太阳能电池面积的60-80%，外部的矩形环区域的次栅线间距大于中心矩形的次栅线间距。