[实用新型]具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳电池正面图形的新设计，尤其是具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池。 

背景技术

晶体硅太阳能电池，其电极的制备多采用丝网印刷方法，正面图形一般采用栅线和主电极垂直的结构方式，次栅线间距多为等间距。提高电池的方块电阻可以提升短路电流和开路电压，进而提升电池效率，但同时高的方块电阻也会导致晶体硅太阳电池的正面欧姆接触变难，导致FF下降（FF为电池的最佳功率和极限功率之比，反映I-V输出特性的好坏，受电池正背面金属电阻、接触电阻、硅基体电阻和扩散层电阻等影响），也会造成电池光电转换效率下降，高方阻硅片结合密栅设计（密栅指次栅间距更小），可以提升电流和FF，从而提升效率。由于目前管式炉扩散的硅片方阻不均匀，而栅线间距为等间距，硅片只有部分区域实现密栅和高方阻搭配。 

发明内容

本实用新型主要解决的技术问题是：结合晶体硅太阳能电池方阻不均匀的分布，进行梯度设计，使得高方阻区域和密栅匹配，实现太阳电池效率提升。 

本实用新型解决技术问题的技术方案是：具有不均匀正面栅线分布的晶体硅太阳能电池，主栅线按常规分布，对于太阳电池的正面印刷的次栅线采用梯度分布设计，所述的梯度分布设计是从电池中心区域到包围中心区域往外的区域，区域之间次栅线的间距越来越大，即次栅线的分布密度越来越小。 

进一步的，本实用新型的晶体硅太阳能电池是具有4-15根主栅线的结构。 

进一步的，太阳能电池的区域从中心矩形区域往外可以分为大于等于2个矩形环区域，每个矩形环区域的次栅线间距设计为等间距，愈在外部的矩形环区域的次栅线间距愈大，间距也可设计为从电池中心区域往外依次增加的递变结构。 

本实用新型的有益效果是，梯度密栅设计，有效解决由于扩散方阻不均匀和均匀密栅间距不匹配导致的效率下降问题。 

附图说明

图1是本实用新型的实例一的区域划分示意图。 

图2是图1实例一划分的区域栅线布局图。 

具体实施方式

下面结合附图和实例对实用新型进行说明。附图为简易图，仅以示意方式说明本实用新型的设计结构，因此仅显示与本使用新型相关的构成。 

如图1和图2所示的晶体硅太阳电池片，图中：中心区域1，第一外围区域2，第二外围区域3，次栅线4、主栅线5。图1扩散后方阻存在的不均匀性，图2匹配方阻进行栅线分布密度有梯度的设计，图1把电池片分为三个区域，图2表示三个区域表面有不均匀分布的次栅线4，主栅线5，次栅线4垂直于主栅线5平行分布。把太阳能电池片分为3个区域，中心区域3、包围区域3的外围区域2和包围区域2的外围区域1，从区域3到区域2，再到区域1，次栅线4的分布密度逐渐减少。这样可使晶体硅太阳电池的效率提升0.1%，栅线分布的方法为： 

如图2所示，电池片分为中心区域3、包围区域3的区域2和包围区域2的区域1，区域1内的次栅线4为等间距分布，区域2内的次栅线4为等间距分布，区域3内的次栅线4为等间距分布，区域1、区域2和区域3的栅线间距不同，栅线密度依次增加，这样可以使得栅线呈梯度分布。 

较好的实施方式是：晶体硅太阳能电池是具有5根主栅线的结构。太阳能电池的区域从中心矩形区域往外可以分为2个矩形环区域，中心矩形次栅线最密分布的面积为太阳能电池面积的11-20%，中心矩形相邻的矩形环区域次栅线较密分布的的面积为太阳能电池面积的33-70%，最外部的矩形环区域的次栅线间距最大，间距可设计为从电池中心区域往外依次增加的递变结构。即最外部的矩形环区域的次栅线间距大于中心矩形相邻的矩形环区域的次栅线间距。 

太阳能电池的区域从中心矩形区域往外分为2个区域，即中心矩形和矩形环区域，中心矩形次栅线最密分布的面积为太阳能电池面积的60-80%，外部的矩形环区域的次栅线间距大于中心矩形的次栅线间距。 

所述次栅线最密分布的区域变是现有的分布密度，次栅线间距增大时增加0.5-2mm的间距。 

虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。