[实用新型]一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构

权利要求书

1.一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，包括上桥逆变功率板（1）、下桥逆变功率板（2）和用于连接上桥逆变功率板（1）和下桥逆变功率板（2）的若干个连接铜排（3），其特征在于：连接铜排（3）包括上桥电连接板（31）、下桥电连接板（32）和中间拱起的电源输入板（33），电源输入板（33）通过左侧板（34）与上桥电连接板（31）连接，电源输入板（33）通过右侧板（35）与下桥电连接板（32）连接。

2.根据权利要求1所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：上桥电连接板（31）、下桥电连接板（32）和中间拱起的电源输入板（33）设置有安装孔（36）。

3.根据权利要求1或2所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：上桥逆变功率板（1）包括第一线路板（11）以及安装在第一线路板（11）上的若干个上桥MOSFET场效应管（110），多个上桥MOSFET场效应管（110）并排形成一组上桥MOS管单元（12），多组上桥MOS管单元（12）间隔排列在第一线路板（11）上,下桥逆变功率板（2）包括第二线路板（21）以及安装在第二线路板（21）上的若干个下桥MOSFET场效应管（210），多个下桥MOSFET场效应管（210）并排形成一组下桥MOS管单元（22），多组下桥MOS管单元（22）间隔排列在第二线路板（21）上。

4.根据权利要求3所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：在第一线路板（11）设置有上桥导电连接区（111），第一MOS管单元（12）和上桥导电连接区（111）间隔排列在第一线路板（11）上，上桥导电连接区（111）与上桥电连接板（31）贴合安装在一起,在第二线路板（21）设置有下桥导电连接区（211），第二MOS管单元（22）和下桥导电连接区（211）间隔排列在第二线路板（21）上，下桥导电连接区（211）与下桥电连接板（32）贴合安装在一起。

5.根据权利要求4所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：上桥导电连接区（111）设置有与上桥电连接板（31）安装孔（36）配合的上桥通孔（1110），下桥导电连接区（211）设置有与下桥电连接板（32）安装孔（36）配合的下桥通孔（2110）。

6.根据权利要求5所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：连接铜排（3）上安装有绝缘柱（4），绝缘柱（4）穿过上桥电连接板（31）的安装孔（36）并拧入上桥导电连接区（111）的上桥通孔（1110）把上桥电连接板（31）锁紧固定在第一线路板（11）的顶面上，绝缘柱（4）穿过下桥电连接板（32）的安装孔（36）并拧入下桥导电连接区（211）的下桥通孔（2110）把下桥电连接板（32）锁紧固定在第二线路板（21）的顶面上。

7.根据权利要求1或2所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：在上桥逆变功率板（1）和下桥逆变功率板（2）之间设置支架（5），支架（5）上设有若干支柱（51），连接铜排（3）的电源输入板（33）支承在支柱（51）的顶面上。

8.根据权利要求7所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：支架（5）设有若干定位孔（52），支架（5）由绝缘材料制成。

9.根据权利要求1或2所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：若干个连接铜排（3）包括极性铜排（37）和转接铜排（38），极性铜排（37）间隔排列在上桥逆变功率板（1）和下桥逆变功率板（2）之间，在相邻的两个极性铜排（37）之间设置转接铜排（38）。

10.根据权利要求9所述的一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构，其特征在于：转接铜排（38）上安装有三相铜排（6），三相铜排（6）包括下板（61）、位于绝缘柱（4）上方的上板（62）和用于连接下板（61）和上板（62）的连接板（63），三相铜排（6）的下板（61）焊接安装在转接铜排（38）电源输入板（33）的顶面上。