[实用新型]一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构有效

专利信息
申请号: 201320166409.1 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN203193518U 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 罗康君;康俊;兰江 申请(专利权)人: 大洋电机新动力科技有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00
代理公司: 中山市汉通知识产权代理事务所(普通合伙) 44255 代理人: 古冠开
地址: 100089 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 连接 mosfet 功率 安装 结构
【说明书】:

技术领域 :

本实用新型涉及一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构。

背景技术 :

新能源电动汽车电机控制器的散热性能是整机最重要的性能之一,电机控制器良好的散热性能可以保证整机的的正常运行,以及延长整机的使用寿命,而整机中最主要的发热元器件是逆变功率板,因此逆变功率板的散热性能的高低对于整机的工作性能至关重要。

目前,连接在逆变功率板之间的铜排包括极性铜排和三相铜排,极性铜排和三相铜排间隔连接安装在两逆变功率板之间,电源从极性铜排的一端输入,经逆变功率板处理再由三相铜排输出,这种结构将导致靠近电源输入端的逆变功率板发热过快、远离电源输入端的逆变功率板发热慢,因为逆变功率板的发热不均匀,导致逆变功率板的散热不均匀,发热过快的部分散热也慢,这将严重影响整机的正常工作,而且缩短整机的使用寿命。

发明内容 :

本实用新型的目的是提供一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构,该结构简单、使逆变功率板的发热趋于一致、提高逆变功率板的散热性能,而且该结构生产工艺简单、便于大批量生产,生产成本低。

本实用新型的目的是通过下述技术方案予以实现的。

一种连接MOSFET逆变功率板的铜排安装结构,包括上桥逆变功率板、下桥逆变功率板和用于连接上桥逆变功率板和下桥逆变功率板的若干个连接铜排,连接铜排包括上桥电连接板、下桥电连接板和中间拱起的电源输入板,电源输入板通过左侧板与上桥电连接板连接,电源输入板通过右侧板与下桥电连接板连接。

上述所述的上桥电连接板、下桥电连接板和中间拱起的电源输入板设置有安装孔。

上述所述的上桥逆变功率板包括第一线路板以及安装在第一线路板上的若干个上桥MOSFET场效应管,多个上桥MOSFET场效应管并排形成一组上桥MOS管单元,多组上桥MOS管单元间隔排列在第一线路板上,下桥逆变功率板包括第二线路板以及安装在第二线路板上的若干个下桥MOSFET场效应管,多个下桥MOSFET场效应管并排形成一组下桥MOS管单元,多组下桥MOS管单元间隔排列在第二线路板上。

上述所述的第一线路板设置有上桥导电连接区,第一MOS管单元和上桥导电连接区间隔排列在第一线路板上,上桥导电连接区与上桥电连接板贴合安装在一起,在第二线路板设置有下桥导电连接区,第二MOS管单元和下桥导电连接区间隔排列在第二线路板上,下桥导电连接区与下桥电连接板贴合安装在一起。

上述所述的上桥导电连接区设置有与上桥电连接板安装孔配合的上桥通孔,下桥导电连接区设置有与下桥电连接板安装孔配合的下桥通孔。

上述所述的连接铜排上安装有绝缘柱,绝缘柱穿过上桥电连接板的安装孔并拧入上桥导电连接区的上桥通孔把上桥电连接板锁紧固定在第一线路板的顶面上,绝缘柱穿过下桥电连接板的安装孔并拧入下桥导电连接区的下桥通孔把下桥电连接板锁紧固定在第二线路板的顶面上。

上述所述的上桥逆变功率板和下桥逆变功率板之间设置支架,支架上设有若干支柱,连接铜排的电源输入板支承在支柱的顶面上。

上述所述的支架设有若干定位孔,支架由绝缘材料制成。

上述所述的若干个连接铜排包括极性铜排和转接铜排,极性铜排间隔排列在上桥逆变功率板和下桥逆变功率板之间,在相邻的两个极性铜排之间设置转接铜排。

上述所述的转接铜排上安装有三相铜排,三相铜排包括下板、位于绝缘柱上方的上板和用于连接下板和上板的连接板,三相铜排的下板焊接安装在转接铜排电源输入板的顶面上。

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