[实用新型]高压电路中低压器件的高压阱版图结构有效
| 申请号： | 201320168792.4 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN203150554U | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 闫琳静;刘菁;杨森林;单闯 | 申请（专利权）人： | 北京经纬恒润科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100101 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 电路 低压 器件 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压电路中低压器件的高压阱版图结构，包括P型衬底和N阱，其特征在于，所述N阱的侧面和P型衬底之间设有满足高压规则的阻挡层；所述低压器件设置于所述N阱上；所述N阱的阱电位为高压。
2.根据权利要求1所述的高压阱版图结构，其特征在于，所述低压器件为低压P型场效应管；所述低压P型场效应管的源极和漏极分别为设置在所述N阱上互不接触的的P型掺杂；所述低压P型场效应管的栅极为多晶硅，设置于源极和漏极之间的沟道上。
3.根据权利要求2所述的高压阱版图结构，其特征在于，所述低压P型场效应管的个数为一个或多个，且每个低压P型场效应管的衬底电位相同。
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