[实用新型]一种集成电路内引线连接结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路，可应用于高密度、超细间距、多排芯片PAD对多层键合指的金丝球焊键合工艺。

背景技术

目前，集成电路封装中，常用的芯片其PAD尺寸一般大于80um，芯片PAD节距大于90um，且芯片PAD排布为单排结构。然而，随着集成电路小型化及芯片技术的不断发展，已经出现了芯片PAD尺寸小于50um，且芯片PAD节距小于60um的双排芯片PAD对多层键合指的结构；对于多排芯片PAD对多层键合指的结构，在键合工艺过程中，第三层及第四层键合丝的弧形高度最小需要设置为16mil（406um），键合丝丝长相比标准工艺也较长，采用普通标准工艺即同层键合丝弧形高度相同的弧形设置后，在机械试验考核中，随试验振动条件的增加，键合丝摆动幅度也会随之增加，当振动频率与键合丝固有频率达到共振时，键合丝的摆幅程度将达到最大，由于弧形高度相同，丝与丝之间间距较小，键合丝在摆动过程中，相邻键合丝会发生“搭丝”短路的情况，无法满足电路的可靠性要求，产品质量也无法得到保证。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种金丝球焊键合弧形结构，满足高密度、超细间距、多排芯片PAD对多层键合指的金丝球焊键合工艺的需求，解决元器件机械试验中“搭丝”短路的情况。

本实用新型的技术方案是：一种集成电路内引线连接结构，包括芯片、键合丝、键合指；芯片通过键合丝与键合指相连，使在集成电路内芯片和外部器件之间的数据传输畅通；所述的键合丝分为高弧形键合丝和低弧形键合丝，高弧形键合丝和低弧形键合丝交替排布在芯片与键合指之间；在高弧形键合丝的第一转折处向一侧转折50°，在高弧形键合丝的第二转折处向同一侧转折35°；在低弧形键合丝的第一转折处向一侧转折40°，在低弧形键合丝的第二转折处向同一侧转折22°；所述高弧形键合丝第一转折处为高弧形键合丝总长度40%处；所述高弧形键合丝第二转折处为高弧形键合丝总长度60%处；所述的低弧形键合丝第一转折处为低弧形键合丝总长度35%处；所述的低弧形键合丝第二转折处为低弧形键合丝总长度80%处。

高弧形键合丝最高点和低弧形键合丝最高点的高度差为2倍至5倍的键合丝直径；所述的高弧形键合丝最高点为高弧形键合丝第二转折处；所述的低弧形键合丝最高点为低弧形键合丝第二转折处。

本实用新型与现有技术相比的优点在于：采用普通弧形，只能满足最长键合丝长度在3mm以下元器件的机械试验考核要求，采用本实用新型的键合丝弧形设置，将相邻键合丝弧形设置为高低交错分布，可提高元器件的抗冲击、抗振动能力，可以实现最长键合丝长度为3.8mm元器件的机械试验考核要求。

附图说明

图1为是本实用新型高弧形键合丝、低弧形键合丝搭接示意图；

具体实施方式

如图1所示，本实用新型一种集成电路内引线连接结构包括芯片、键合丝、键合指；芯片通过键合丝与键合指相连，使芯片和外部器件之间的数据传输畅通；所述的键合丝分为高弧形键合丝和低弧形键合丝，高弧形键合丝和低弧形键合丝交替排布在芯片与键合指之间；设定在所述高弧形键合丝总长度40%处为高弧形键合丝第一转折处，在高弧形键合丝总长度60%处为高弧形键合丝第二转折处，在高弧形键合丝第一转折处转折50°，在高弧形键合丝第二转折处转折35°；设定在所述低弧形键合丝总长度35%处为低弧形键合丝第一转折处，在低弧形键合丝总长度80%处为低弧形键合丝第二转折处，在低弧形键合丝第一转折处转折40°，在低弧形键合丝转折处转折22°。

高弧形键合丝最高点和低弧形键合丝最高点的高度差为2倍至5倍的键合丝直径；所述的高弧形键合丝最高点为高弧形键合丝第二转折处；所述的低弧形键合丝最高点为低弧形键合丝第二转折处

上述工作原理：对于采用高密度、多引线金丝球焊键合工艺的元器件，其键合丝数量多、相邻键合丝之间间距小，在对元器件进行机械试验考核时，键合丝会发生摆动，相邻键合丝在摆动过程中易出现碰丝的情况，造成元器件短路失效。相邻键合丝采用高、低弧形设置后，键合丝在摆动过程中，高、低弧形会形成交错摆动，即摆动时，低弧形摆动在下，高弧形摆动在上，另外，由于不同长度的键合丝振动频率不相同，试验振动频率与键合丝固有频率达到共振时，键合丝摆动幅度会明显增大，当试验频率与低弧形达到共振时，低弧形摆动较大，高弧形摆动较小，当试验频率与高弧形达到共振时，高弧形摆动较大，低弧形摆动较小，从而避免了同层键合丝在达到共振的振动条件下，键合丝发生“碰丝”短路的情况。

本实用新型未具体说明部分属于本领域公知技术。