[实用新型]LED芯片结构有效
| 申请号： | 201320174874.X | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN203218309U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 夏炀 | 申请（专利权）人： | 夏炀 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 243000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.LED芯片结构，其特征在于，包括衬底(1)，覆盖所述衬底(1)的n型GaN层(2)，所述n型GaN层(2)引出的n型电极(21)，所述n型GaN层覆盖的p型GaN层(3)，以及所述p型GaN层(3)引出的p型电极(31)，所述n型GaN层(2)与p型GaN层(3)之间设有InGaN/GaN薄膜发光层(4)。
2.根据权利要求1所述LED芯片结构，其特征在于，所述p型GaN层(3)和所述p型电极(31)之间还设有透明导电层(32)。
3.根据权利要求1所述LED芯片结构，其特征在于，所述衬底(1)与所述n型GaN层(2)之间设有低温GaN层(5)。
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