[实用新型]LED芯片结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。现有的芯片结构大多采用GaN。值得注意的是，InGaN能量带隙从近红外连续延伸到紫外波段，是半导体中宽广带隙的代表。InGaN合金在可见光波段完全覆盖，基于此特点，InGaN合金可以显示全可见光谱。InGaN的禁带宽度降低。此外，高In组分形成的团簇会产生类似量子点的效应，这可以导致激子局域化效应，进而提高发光效率。Naranjo等科学家和J.Wu等科学家分别报道了In组分为0.19到0.37和Tn组分为0.5到1.0之间的InGaN薄膜。另外，Hori实现了全组分InGaN薄膜的生长。这些年来，对全组分InGaN薄膜材料的能带工程与其光电方面的应用在研究领域成为热点。

实用新型内容

本实用新型的目的提供一种LED芯片结构，极大提供现有LED的发光效率。

本实用新型提供了LED芯片结构，包括衬底，覆盖衬底的n型GaN层，n型GaN层引出的n型电极，n型GaN层覆盖的p型GaN层，以及p型GaN层引出的p型电极，n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层。

本实用新型提供的LED芯片结构，通过在n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层，利用较宽的InGaN能量带隙，极大提高了LED芯片的发光效率。

在一些实施方式中，p型GaN层和p型电极之间还设有透明导电层。增大导电面积的同时不影响出光。

在一些实施方式中，衬底与n型GaN层之间设有低温GaN层，抵消了衬底材料的晶格失配度和热应力失配度等缺陷，提高了GaN层晶体质量，降低位错密度。

附图说明

图1为本实用新型提供的LED芯片结构的一种实施方式的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型公开了一LED芯片结构，包括衬底1，覆盖衬底1的n型GaN层2，n型GaN层2引出的n型电极21，n型GaN层覆盖的p型GaN层3，以及p型GaN层3引出的p型电极31，n型GaN层2与p型GaN层3之间设有InGaN/GaN薄膜发光层4。p型GaN层3和p型电极31之间还设有透明导电层32。衬底1与n型GaN层2之间设有低温GaN层5。

通过在n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层，利用较宽的InGaN能量带隙，极大提高了LED芯片的发光效率。

衬底与n型GaN层之间设有的低温GaN层，抵消了衬底材料的晶格失配度和热应力失配度等缺陷，提高了GaN层晶体质量，降低位错密度。

以上所述仅是本实用新型的优选方式，应当指出，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干相似的变形和改进，这些也应视为本实用新型的保护范围之内。