[实用新型]一种上变频混频器

权利要求书

1.一种自上变频混频器，其特征在于：包括第一信号输入端、第二信号输入端、第三信号输入端、发射机的第一TX端、发射机的第二TX端、发射机的第一BB端、发射机的第二BB端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管，所述第一信号输入端与所述第一晶体管的基极连接，所述第一晶体管的集电极分别与所述第一电阻的第一端、所述第六晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述第五晶体管的集电极、第六晶体管的集电极和所述第十一晶体管的集电极连接，所述第十一晶体管的发射极与所述第五电阻连接后接地，所述第十一晶体管的基极与所述第十二晶体管的基极连接，所述第十二晶体管的发射极与所述第六电阻连接后接地，所述第十二晶体管的集电极分别与所述第七晶体管的发射极和所述第八晶体管的发射极连接，所述第七晶体管的集电极与所述发射机的第一TX端连接，所述第八晶体管的集电极与所述发射机的第二TX端连接，所述第七晶体管的基极与所述第六晶体管的发射极连接后接地，所述第八晶体管的基极与所述第五晶体管的发射极连接后接地，所述第二电阻的第二端分别与所述第二晶体管的集电极、所述第四晶体管的集电极和所述第五晶体管的基极连接，所述第二晶体管的发射极分别与所述第一晶体管的发射极和所述第九晶体管的集电极连接，所述发射机的第一BB端与所述第九晶体管的基极连接吗，所述第九晶体管的发射极与所述第三电阻的第一端连接后接地，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第十晶体管的发射极连接后接地，所述第十晶体管的基极与所述发射机的第二BB端连接，所述第十晶体管的集电极分别与所述第三晶体管的发射极和所述第四晶体管的发射极连接，所述第三晶体管的基极分别与所述第二晶体管的基极和所述发射机的第三信号发射端连接，所述第四晶体管的基极与所述发射机的第二信号发射端连接。