[实用新型]一种上变频混频器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种信号处理装置，尤其涉及到一种上变频混频器。

背景技术

在无线电应用中，上变频混频器的主要功能是使基带的数据信号的载频变为可以无线传输的较高频率，混频器在基带频率和载波频率之间转换电信号，两路信号驱动混频器，输出的信号是两个输入信号相乘。但是，这种结构要求放大电路的增益非常大，而且比较器本身不引入失配，否则补偿的精度就会受影响。而且，如果比较器是直接比较混频器上变频了的信号，则高频信号的比较器设计实现非常复杂和困难。另外，混频器本身的增益必须考虑信号的线性度，所以增益不可能无限制的大，信号输出功率动态范围的仍然受电路的非理想的失配电压误差限制，本振泄漏比较大。由此可见，上变频混频器等效的输入端直流失配误差会在输出端引入不必要的本振泄漏，会使输出信号的信噪比变差，动态范围减小。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种在减少本振泄露，信号干扰小的上变频混频器。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

本实用新型包括第一信号输入端、第二信号输入端、第三信号输入端、发射机的第一TX端、发射机的第二TX端、发射机的第一BB端、发射机的第二BB端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管，所述第一信号输入端与所述第一晶体管的基极连接，所述第一晶体管的集电极分别与所述第一电阻的第一端、所述第六晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述第五晶体管的集电极、第六晶体管的集电极和所述第十一晶体管的集电极连接，所述第十一晶体管的发射极与所述第五电阻连接后接地，所述第十一晶体管的基极与所述第十二晶体管的基极连接，所述第十二晶体管的发射极与所述第六电阻连接后接地，所述第十二晶体管的集电极分别与所述第七晶体管的发射极和所述第八晶体管的发射极连接，所述第七晶体管的集电极与所述发射机的第一TX端连接，所述第八晶体管的集电极与所述发射机的第二TX端连接，所述第七晶体管的基极与所述第六晶体管的发射极连接后接地，所述第八晶体管的基极与所述第五晶体管的发射极连接后接地，所述第二电阻的第二端分别与所述第二晶体管的集电极、所述第四晶体管的集电极和所述第五晶体管的基极连接，所述第二晶体管的发射极分别与所述第一晶体管的发射极和所述第九晶体管的集电极连接，所述发射机的第一BB端与所述第九晶体管的基极连接吗，所述第九晶体管的发射极与所述第三电阻的第一端连接后接地，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第十晶体管的发射极连接后接地，所述第十晶体管的基极与所述发射机的第二BB端连接，所述第十晶体管的集电极分别与所述第三晶体管的发射极和所述第四晶体管的发射极连接，所述第三晶体管的基极分别与所述第二晶体管的基极和所述发射机的第三信号发射端连接，所述第四晶体管的基极与所述发射机的第二信号发射端连接。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型能减少输入端直流失配误差会在输出端引入不必要的本振泄漏，提高信号的信噪比和动态范围。

附图说明

图1是本实用新型的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1所示，本实用新型包括第一信号输入端LO1、第二信号输入端LO2、第三信号输入端LO2、发射机的第一TX端、发射机的第二TX端、发射机的第一BB端、发射机的第二BB端、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一晶体管VT1、第二晶体管VT2、第三晶体管VT3、第四晶体管VT4、第五晶体管VT5、第六晶体管VT6、第七晶体管VT7、第八晶体管VT8、第九晶体管VT9、第十晶体管VT10、第十一晶体管VT11、第十二晶体管VT12，第一信号输入端LO1与第一晶体管VT1的基极连接，第一晶体管VT1的集电极分别与第一电阻R1的第一端、第六晶体管VT6的基极和第三晶体管VT3的集电极连接，第一电阻R1的第二端分别与第二电阻R2的第一端、第五晶体管VT5的集电极、第六晶体管VT6的集电极和第十一晶体管VT11的集电极连接，第十一晶体管VT11的发射极与第五电阻R5连接后接地，第十一晶体管VT11的基极与第十二晶体管VT12的基极连接，第十二晶体管VT12的发射极与第六电阻VT12连接后接地，第十二晶体管VT12的集电极分别与第七晶体管VT7的发射极和第八晶体管VT8的发射极连接，第七晶体管VT7的集电极与发射机的第一TX端连接，第八晶体管VT8的集电极与发射机的第二TX端连接，第七晶体管VT7的基极与第六晶体管VT6的发射极连接后接地，第八晶体管VT8的基极与第五晶体管VT5的发射极连接后接地，第二电阻R2的第二端分别与第二晶体管VT2的集电极、第四晶体管VT4的集电极和第五晶体管VT5的基极连接，第二晶体管VT2的发射极分别与第一晶体管VT1的发射极和第九晶体管VT9的集电极连接，发射机的第一BB端与第九晶体管VT9的基极连接吗，第九晶体管VT9的发射极与第三电阻R3的第一端连接后接地，第三电阻R3的第二端与第四电阻R4的第一端连接，第四电阻R4的第二端与第十晶体管VT10的发射极连接后接地，第十晶体管VT10的基极与发射机的第二BB端连接，第十晶体管VT01的集电极分别与第三晶体管VT3的发射极和第四晶体管VT4的发射极连接，第三晶体管VT3的基极分别与第二晶体管VT2的基极和发射机的第三信号输入端LO3连接，第四晶体管VT4的基极与发射机的第二信号输入端LO2连接。