[实用新型]用于具有静电防护功能的键盘有效
| 申请号： | 201320221399.7 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN203205865U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄友华 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 具有 静电 防护 功能 键盘 | ||
1.用于具有静电防护功能的键盘，它包括IO端口和内部电路，其特征在于：所述的IO端口和内部电路之间连接有静电防护电路，所述的静电防护电路包括分压电路和静电释放保护电路。
2.根据权利要求1所述的用于具有静电防护功能的键盘，其特征在于：所述的静电释放保护电路包括P沟道场效应管PMOS1和N沟道场效应管NMOS1，所述的P沟道场效应管PMOS1的漏极与N沟道场效应管NMOS1相连，所述的P沟道场效应管PMOS1的栅极与源极相连且同时连接在VDD上，所述的N沟道场效应管NMOS1的源极与栅极相连且同时接地，所述的N沟道场效应管NMOS1的源极上连接一二极管，所述的二极管的正极连接在N沟道场效应管NMOS1的源极上且负极与VDD相连，所述的P沟道场效应管PMOS1的栅极和N沟道场效应管NMOS1的漏极之间还连接有P沟道场效应管PMOS2，所述的P沟道场效应管PMOS2的栅极连接在P沟道场效应管PMOS1的栅极上，所述的P沟道场效应管PMOS2的源极和漏极同时连接在N沟道场效应管NMOS1的漏极上，所述的P沟道场效应管PMOS1的漏极和N沟道场效应管NMOS1的栅极之间还连接有N沟道场效应管NMOS2，所述的N沟道场效应管NMOS2的栅极连接在P沟道场效应管PMOS1的漏极上，所述的N沟道场效应管NMOS2的源极和漏极同时连接在N沟道场效应管NMOS1的栅极上。
3.根据权利要求2所述的用于具有静电防护功能的键盘，其特征在于：所述的分压电路包括电阻。
4.根据权利要求3所述的用于具有静电防护功能的键盘，其特征在于：所述的电阻的一端连接在IO端口上，且另一端连接在P沟道场效应管PMOS1的漏极上，且同时与内部电路相连。
5.根据权利要求4所述的用于具有静电防护功能的键盘，其特征在于：所述的电阻的阻值范围为1500欧姆到3000欧姆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市宏山科技有限公司，未经成都市宏山科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320221399.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
