[实用新型]用于具有静电防护功能的键盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种键盘，更具体的说是涉及一种用于具有静电防护功能的键盘。

背景技术

键盘是最常见的计算机输入设备，它广泛应用于微型计算机和各种终端设备上。现在的办公，大多离不开电脑。当人在接触电脑时，手指上的静电场会引起介电物质的极化和键盘内电荷的重新分布。这时，原本存在于人体与设备之间的能量会转移到键盘内部的器件上，在这些强电场的作用下，芯片会被损坏，及烧毁键盘内的电子器件。其一般安装金属挡板来防止静电，但是对于键盘这种小巧型的电子器件，金属挡板显然增加了其的重量，将键盘的重量提高了百分之几十。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于具有静电防护功能的键盘，其采用电路对静电进行释放，有效的达到就静电防护的目的，也不会增加键盘的重量。

为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

用于具有静电防护功能的键盘，它包括IO端口和内部电路，所述的IO端口和内部电路之间连接有静电防护电路，所述的静电防护电路包括分压电路和静电释放保护电路。

在本实用新型中，采用电路的形式对静电进行释放，以保护键盘内部电子器件，由于静电防护电路都是电子器件，其质量较轻，以至于不会增加键盘的重量。

更进一步的技术方案是:

所述的静电释放保护电路包括P沟道场效应管PMOS1和N沟道场效应管NMOS1，所述的P沟道场效应管PMOS1的漏极与N沟道场效应管NMOS1相连，所述的P沟道场效应管PMOS1的栅极与源极相连且同时连接在VDD上，所述的N沟道场效应管NMOS1的源极与栅极相连且同时接地，所述的N沟道场效应管NMOS1的源极上连接一二极管，所述的二极管的正极连接在N沟道场效应管NMOS1的源极上且负极与VDD相连，所述的P沟道场效应管PMOS1的栅极和N沟道场效应管NMOS1的漏极之间还连接有P沟道场效应管PMOS2，所述的P沟道场效应管PMOS2的栅极连接在P沟道场效应管PMOS1的栅极上，所述的P沟道场效应管PMOS2的源极和漏极同时连接在N沟道场效应管NMOS1的漏极上，所述的P沟道场效应管PMOS1的漏极和N沟道场效应管NMOS1的栅极之间还连接有N沟道场效应管NMOS2，所述的N沟道场效应管NMOS2的栅极连接在P沟道场效应管PMOS1的漏极上，所述的N沟道场效应管NMOS2的源极和漏极同时连接在N沟道场效应管NMOS1的栅极上。

所述的分压电路包括电阻。

所述的电阻的一端连接在IO端口上，且另一端连接在P沟道场效应管PMOS1的漏极上，且同时与内部电路相连。

所述的电阻的阻值范围为1500欧姆到3000欧姆。

在本实用新型中，键盘的IO端连接在分压电路的电阻上，电阻的另一端连接在键盘的内部电路上。当静电产生时，电阻起分压作用，静电释放保护电路将静电有效的释放，以此来达到静电防护的目的，有效的保护了键盘内的电子元器件。本电路的结构简单，适用于键盘防静电。当静电产生时，P沟道场效应管PMOS1、N沟道场效应管NMOS1和二极管根据静电的电性分别提供4条静电释放电路。P沟道场效应管PMOS2和N沟道场效应管NMOS2作用在于防止微扰信号的干扰，且其防干扰能力相比电容或者其他电子元器件的防干扰能力更强。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型的分压电路对静电产生的电压坚信分压，静电释放保护电路对静电进行释放，有效的保护了键盘内部的电子元器件。

2、本实用新型采用电路的原理对静电进行释放，不会增加键盘的质量。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的用于具有静电防护功能的键盘，它包括IO端口和内部电路，所述的IO端口和内部电路之间连接有静电防护电路，所述的静电防护电路包括分压电路和静电释放保护电路。