[实用新型]双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯

权利要求书

1.一种双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯，包括电源滤波器EMI、整流桥堆、发光二极管LED阵列灯，其特征在于：还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、全波整流器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₅同步振荡，输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T₂与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T₃反相馈入相加耦合器，功率合成馈送全波整流器点燃发光二极管LED阵列灯，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端快速停振，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压分别接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端。

2.根据权利要求1所述的双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯，其特征在于：全波整流电路由两个大功率MOS场效应管Q₄、Q₅源极接相加耦合器T₄电感L₁₁两端，栅极接分压电阻偏置，源极、漏极并联整流二极管，漏极并接为推挽全波整流输出端，电感L₁₁中点穿过灯电流检测互感磁环接地，电感L₁₂接二极管VD₁₇检波，电容C₂₀、电阻R₂₂滤波经电阻接两个自振荡芯片RC振荡器C_T端。

3.根据权利要求1所述的双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯，其特征在于：功率因数校正APFC由芯片IC₄、功率MOS场效应管Q₁、升压二极管VD₁₁、磁性变压器T₁及电阻、电容组成，整流桥堆输出经磁性变压器T₁电感L₃接Q₁漏极、升压二极管VD₁₁至电容C₁₁作为功率因数校正APFC输出，电阻R₄接整流桥堆输出引入芯片IC₄电源端，并与磁性变压器T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片IC₄控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₁源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片IC₄输出接Q₁栅极，磁性变压器T₁电感L₅高频电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。