[实用新型]双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯

说明书

技术领域

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是一种双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯。

背景技术

现有技术电子变压器用LC或RC振荡器驱动发光二极管LED阵列灯，产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然交直交AC-DC-AC逆变的电子变压器，结构简便，成本低。要得到大功率照明势必增大电流，而振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步，大功率照明的双半桥注入锁相发光二极管LED阵列灯。

本实用新型技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、发光二极管LED阵列灯、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、全波整流器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₅同步振荡，输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由Q₂、Q₃两个大功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T₂与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T₃反相馈入相加耦合器，功率合成馈送全波整流器点燃发光二极管LED阵列灯，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端快速停振，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端；

其中，全波整流电路由两个大功率MOS场效应管Q₄、Q₅源极接相加耦合器T₄电感L₁₁两端，栅极接电阻分压偏置，源极、漏极并联整流二极管，Q₄、Q₅漏极并接为推挽全波整流输出端，电感L₁₁中点穿过灯电流检测互感磁环接地，电感L₁₂接二极管VD₁₇检波，电容C₂₀、电阻R₂₂滤波接两个自振荡芯片RC振荡器C_T端；

功率因数校正APFC由芯片IC₄、功率MOS场效应管Q₁、升压二极管VD₁₁、磁性变压器T₁及电阻、电容组成，整流桥堆输出经磁性变压器T₁电感L₃接Q₁漏极、升压二极管VD₁₁至电容C₁₁作为功率因数校正APFC输出，电阻R₄接整流桥堆输出引入芯片IC₄电源端，并与磁性变压器T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片IC₄控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₁源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片IC₄输出接Q₁栅极，磁性变压器T₁电感L₅高频电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。