[实用新型]太阳能硅片高速线扫描光致荧光成像检测设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能硅片检测系统，特别涉及一种太阳能硅片高速线扫描光致荧光成像检测设备。

背景技术

太阳能硅片光致荧光成像(PL,Photoluminescence imaging) 检测技术是近几年随着光伏产业的发展而出现的一种快速硅材料检测技术。该技术采用大功率激光器做激发照明源，通过高通滤光片将荧光同激光分离，而后采用近红外高灵敏相机对荧光图像进行采集。该技术可对样品荧光进行快速成像，能够满足快速检测的要求，适合产线上的实时检测应用。PL可用于对不同阶段的硅锭、硅片检测，工艺阶段包括：硅锭、硅片切片、制绒硅片、扩散硅片、清洗硅片、PECVD硅片和成品电池片。应用PL技术可检测出样品的缺陷种类有：黑芯、黑边、晶界、隐裂、扩散问题、边缘隔绝问题、漏电、烧结问题和接触电阻问题等。

太阳能原始硅片的光致荧光效率极低（<10^-8），早期为了检测这类产品，一般选择近红外响应增强型硅CCD和同时加大激光激发功率。但检测样品同样为硅材料，探测器的灵敏度曲线同硅片的荧光光谱只有很少部分重叠，因此很难提升探测效率，从而限制了检测速度和信噪比的提升。

采用InGaAs图像探测器检测硅材料荧光，最早始自于2005年首次将光致荧光成像引入太阳能硅片检测领域的T.Trupke，特点是其灵敏度光谱能够完全覆盖硅材料的荧光光谱，因此能够实现快速检测，但由于面阵InGaAs相机价格太高以及分辨率不足等问题，限制了其大规模产业化应用。相比较而言，线扫描InGaAs探测器比较成熟，在分辨率和价格方面有比较大的优势。因此如何应用线扫描InGaAs探测器构建太阳能硅片光致荧光成像检测系统成为行业内的技术热点。

发明内容

为了弥补以上不足，本实用新型提供了一种太阳能硅片高速线扫描光致荧光成像检测设备，该太阳能硅片高速线扫描光致荧光成像检测设备极大的提高了光致荧光成像技术对硅材料的检测速度和最终图像的信噪比，适合产线上的实时检测应用，节约生产成本。

本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能硅片高速线扫描光致荧光成像检测设备，包括机架、硅片传送机构、激光发生装置、荧光成像模块和图像采集-处理模块，所述激光发生装置、至少一个荧光成像模块和图像采集-处理模块分别固设于机架上，硅片传送机构能够输送待检测硅片到达检测位置，激光发生装置能够发射垂直于硅片运动方向的激光线并照射检测位置的待检测硅片，荧光成像模块能够对检测位置的硅片发出的荧光信号进行探测并传信于图像采集-处理模块进行分析和处理。

作为本实用新型的进一步改进，所述激光发生装置包括激光线照明模块和光纤耦合半导体激光器，激光线照明模块和光纤耦合半导体激光器通过光纤输出头相连接，激光线照明模块能够将光纤输出头输出的激光整形为超细、高均匀激光线。

作为本实用新型的进一步改进，所述激光线照明模块包括沿光线方向依次排列的球面准直透镜组、二向色镜、柱面镜阵列、负柱面镜、第一正柱面镜、第二正柱面镜、柱面镜组，其中负柱面镜、柱面镜组与柱面镜阵列、第一正柱面镜、第二正柱面镜的面型方向垂直。

作为本实用新型的进一步改进，所述激光线照明模块和荧光成像模块均放置于没有光线的暗室中，该暗室侧壁上设有供硅片传送机构带动硅片进出暗室的狭缝。

作为本实用新型的进一步改进，所述激光线照明模块和荧光成像模块位于硅片传送机构同侧或者异侧。

作为本实用新型的进一步改进，所述荧光成像模块包括依次排列设置的线扫描InGaAs相机、成像镜头和滤光片。

作为本实用新型的进一步改进，所述线扫描InGaAs相机所配置的线扫描InGaAs图像探测器像素高度大于像素宽度。

作为本实用新型的进一步改进，所述荧光成像模块中还设有用于切换不同滤光片的滤光片切换装置。

作为本实用新型的进一步改进，还设有硅片少子寿命测量模块，该硅片少子寿命测量模块能够对样品荧光图像进行校准。

本实用新型的有益技术效果是：本实用新型通过大功率激光均匀化窄线宽线照明模块对样品的高效激发和线扫描InGaAs图像探测器对荧光信号的高效探测，极大的提高了光致荧光成像技术对硅材料的检测速度和最终图像的信噪比，适合产线上的实时检测应用。

附图说明

图1为本实用新型的结构原理示意图；

图2为本实用新型的立体图；

图3为本实用新型的激光线照明模块原理主视图；

图4为图3中A部放大图；

图5为图4中B部放大图； 

图6为本实用新型的激光线照明模块原理左视图；