[实用新型]失调补偿有源负载有效
申请号: | 201320249622.9 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN203352544U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | M·H·莱特 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 失调 补偿 有源 负载 | ||
1.一种失调补偿有源负载,其特征在于,所述失调补偿有源负载包括:
第一晶体管,其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极;
第二晶体管,其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极,所述第一晶体管的所述第一载流电极被耦合至所述第二晶体管的所述第一载流电极;
多个电荷存储元件,其被耦合在所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述控制电极之间;
第一耦合装置,其具有控制端子及第一端子和第二端子,所述控制端子被耦合来接收第一控制信号,所述第一端子被耦合至所述第一晶体管的所述控制电极,而所述第二端子被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极;以及
第二耦合装置,其具有控制端子及第一端子和第二端子,所述控制端子被耦合来接收第二控制信号,所述第一端子被耦合至所述第二晶体管的所述控制电极,而所述第二端子被耦合至所述第二晶体管的所述第二载流电极。
2.如权利要求1所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述第一耦合装置和第二耦合装置分别为第一晶体管和第二晶体管。
3.如权利要求1所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述第一控制信号和第二控制信号大致上是相同信号。
4.如权利要求1所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述多个电荷存储元件包括第一电荷存储元件和第二电荷存储元件,所述第一电荷存储元件具有被耦合至所述第一晶体管的所述控制电极的第一端子,所述第二电荷存储元件具有被耦合至所述第二晶体管的所述 控制电极的第一端子,所述第一电荷存储元件和第二电荷存储元件的每一个都具有第二端子,所述第二端子被耦合在一起。
5.如权利要求4所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述失调补偿有源负载进一步包括第三耦合装置,所述第三耦合装置具有被耦合来接收第三控制信号的控制端子,被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极的第一端子,以及被耦合至所述多个电荷存储元件的第一电荷存储元件的所述第二端子的第二端子。
6.如权利要求5所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述失调补偿有源负载进一步包括第四耦合装置,所述第四耦合装置具有被耦合来接收第四控制信号的控制端子,被耦合来接收具有操作电势的第一源极的第一端子,以及被共同地耦合至所述第一耦合装置的所述第二端子和所述第一电荷存储元件的所述第二端子的第二端子。
7.如权利要求6所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述第一耦合装置、第二耦合装置、第三耦合装置以及第四耦合装置都包括晶体管。
8.如权利要求6所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述失调补偿有源负载进一步包括输入级,所述输入级具有输入端子及第一输出端子和第二输出端子,所述第一输出端子被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极,而所述第二输出端子被耦合至所述第二晶体管的所述第二载流电极。
9.如权利要求8所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述输入级包括一对差分耦合晶体管。
10.如权利要求4所述的失调补偿有源负载,其特征在于,所述第一电荷存储元件和第二电荷存储元件都是电容器。
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