[实用新型]失调补偿有源负载

说明书

技术领域

本实用新型大体上涉及电子器件，并且更具体来说，涉及失调（offset）补偿和补偿失调电压的方法。 

背景技术

如运算放大器、比较器等的电路被用于各种应用中，包括通信、信号处理、计算机、遥感、汽车、航空等。这些电路通常包括被耦合至负载级的输入级。这些类型电路的一个缺点在于：输入级分量的失配可能导致不理想的电路性能。例如，构成输入级的晶体管中的失配可能在电路中引入输入失调电压。在2001年3月由Texas Instruments 出版的标题为DC Parameters:Input Offset Voltage(V_IO)的申请报告SLOA59中，Richard Palmer描述了输入失调电压的起因和用于降低输入失调电压的技术。此外，2011年4月5日签发给Stephen Robert Kosic等的美国专利号7,920,009B2和2009年11月24日签发给Masao Iriguchi等的美国专利号7,623,054B2都描述了用于抵销失调电压的技术。这些技术包括开关，所述开关可以将噪音引入输入级中或将电荷注入输入级中，但未能补偿这种噪音或被注入的电荷。 

因此，得到一种用于减轻输入失调电压的电路和方法将是有利的。希望所述电路和方法的实施将是成本有效和时间有效的。 

实用新型内容

本实用新型要解决的一个技术问题是减轻电路的输入失调电压。 

根据本实用新型的一个方面，提供一种失调补偿有源负载，所述失调补偿有源负载包括：第一晶体管，其具有控制电极及第一载流电极和第二载流电极；第二晶体管，其具有控制电极及第一载流电极和 第二载流电极，所述第一晶体管的所述第一载流电极被耦合至所述第二晶体管的所述第一载流电极；多个电荷存储元件，其被耦合在所述第一晶体管的所述控制电极与所述第二晶体管的所述控制电极之间；第一耦合装置，其具有控制端子及第一端子和第二端子，所述控制端子被耦合来接收第一控制信号，所述第一端子被耦合至所述第一晶体管的所述控制电极，而所述第二端子被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极；以及第二耦合装置，其具有控制端子及第一端子和第二端子，所述控制端子被耦合来接收第二控制信号，所述第一端子被耦合至所述第二晶体管的所述控制电极，而所述第二端子被耦合至所述第二晶体管的所述第二载流电极。 

优选地，所述第一耦合装置和第二耦合装置分别为第一晶体管和第二晶体管。 

优选地，所述第一控制信号和第二控制信号大致上是相同信号。 

优选地，所述多个电荷存储元件包括第一电荷存储元件和第二电荷存储元件，所述第一电荷存储元件具有被耦合至所述第一晶体管的所述控制电极的第一端子，所述第二电荷存储元件具有被耦合至所述第二晶体管的所述控制电极的第一端子，所述第一电荷存储元件和第二电荷存储元件的每一个都具有第二端子，所述第二端子被耦合在一起。 

优选地，所述失调补偿有源负载进一步包括第三耦合装置，所述第三耦合装置具有被耦合来接收第三控制信号的控制端子，被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极的第一端子，以及被耦合至所述多个电荷存储元件的第一电荷存储元件的所述第二端子的第二端子。 

优选地，所述失调补偿有源负载进一步包括第四耦合装置，所述第四耦合装置具有被耦合来接收第四控制信号的控制端子，被耦合来接收具有操作电势的第一源极的第一端子，以及被共同地耦合至所述第一耦合装置的所述第二端子和所述第一电荷存储元件的所述第二端子的第二端子。 

优选地，所述第一耦合装置、第二耦合装置、第三耦合装置以及 第四耦合装置都包括晶体管。 

优选地，所述失调补偿有源负载进一步包括输入级，所述输入级具有输入端子及第一输出端子和第二输出端子，所述第一输出端子被耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极，而所述第二输出端子被耦合至所述第二晶体管的所述第二载流电极。 

优选地，所述输入级包括一对差分耦合晶体管。 

优选地，所述第一电荷存储元件和第二电荷存储元件都是电容器。 

本实用新型可以用于电子器件。本实用新型的一个有利的技术效果是电路的输入失调电压可以被减轻。 

附图说明

结合附图来阅读以下详细描述将更好地理解本实用新型，附图中相同的参考符号表示相同的元件，并且附图中： 

图1是根据本实用新型的一个实施方案的失调补偿有源负载的示意图；