[实用新型]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板、设置在所述基板上的半导体模块、封装所述半导体模块的封装玻璃，所述基板与所述半导体模块之间设置有电气连接结构；所述半导体模块包括：多个半导体芯片单元，所述半导体芯片单元包括：衬底、及于所述衬底上依次生长的低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层、P型电极金属全发射层；所述P型电极金属全发射层上设置有P型电极，所述衬底底部设置有N型电极，所述N型电极与所述N型电子注入层电性连接；所述任意一半导体模块中的所有半导体芯片单元由同一衬底连接且相互之间电学隔离；所述任意一半导体模块中的所有半导体芯片单元的P型电极电连接；所述封装玻璃上于靠近所述半导体芯片单元的内表面设置有荧光层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述封装玻璃为耐高温玻璃；所述荧光层为烧制涂布在所述封装玻璃上的低熔点玻璃粉与荧光粉的混合浆体形成的玻璃荧光层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述低温缓冲层为GaN层，所述N型电子注入层为N型GaN层，所述电子阻挡层为P型AlGaN层，所述P型空穴注入层为P型GaN层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述N型电子注入层的厚度为3.5-4.5μm、所述多量子阱有源层厚度为0.1-0.2μm、所述P型空穴注入层为0.1-0.2μm、P型电极金属全发射层0.4-0.6μm。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述衬底的底部设有与所述半导体芯片单元相应设置的通孔，所述通孔与相应的半导体芯片单元上的N型电子注入层相连，所述N型电极覆盖所述通孔及所述衬底底部。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于：所述N型电极包括：设置在所述通孔中的第一电极、及覆盖所述衬底底部的第二电极。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于： 所述半导体芯片单元之间设置有进行电学隔离的电隔离沟槽。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于： 所述电气连接结构为铜镍金复合金属层，所述铜镍金复合金属层包括：形成于所述基板上的铜层、设置于所述铜层上的镍层、及设置于所述镍层上的金层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于：所述镍层厚度为0.25-0.35μm，所述金层厚度为0.15-0.2μm。