[实用新型]半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种元器件的封装结构，特别是涉及一种半导体封装结构。 

背景技术

随着半导体制造工艺特别如LED制造工艺的不断进步，LED越来越多地向普通照明领域迈进。大功率的LED一般采用硅胶进行封装，硅胶可以承载荧光粉并对芯片进行机械保护，进行应力释放。硅胶同时作为一种光导结构，以加强散热，降低芯片结温，提高LED性能。但硅胶长时间使用容易潮解、老化，特别如南方潮湿地区，潮解后光衰问题非常突出，且硅胶的透光性较差。 

发明内容

基于此，有必要提供一种可提高透光性的半导体封装结构。 

一种半导体封装结构，包括：基板、设置在所述基板上的半导体模块、封装所述半导体模块的封装玻璃，所述基板与所述半导体模块之间设置有电气连接结构；所述半导体模块包括：多个半导体芯片单元，所述半导体芯片单元包括：衬底、及于所述衬底上依次生长的低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层、P型电极金属全发射层；所述P型电极金属全发射层上设置有P型电极，所述衬底底部设置有N型电极，所述N型电极与所述N型电子注入层电性连接；所述任意一半导体模块中的所有半导体芯片单元由同一衬底连接且相互之间电学隔离；所述任意一半导体模块中的所有半导体芯片单元的P型电极电连接；所述封装玻璃上于靠近所述半导体芯片单元的内表面设置有荧光层。 

在优选的实施例中，所述封装玻璃为耐高温玻璃；所述荧光层为烧制涂布在所述封装玻璃上的低熔点玻璃粉与荧光粉的混合浆体形成的玻璃荧光层。 

在优选的实施例中，所述衬底为蓝宝石衬底。 

在优选的实施例中，所述低温缓冲层为GaN层，所述N型电子注入层为N型GaN层，所述电子阻挡层为P型AlGaN层，所述P型空穴注入层为P型GaN层。 

在优选的实施例中，所述N型电子注入层的厚度为3.5-4.5μm、所述多量子阱有源层厚度为0.1-0.2μm、所述P型空穴注入层为0.1-0.2μm、P型电极金属全发射层0.4-0.6μm。 

在优选的实施例中，所述衬底的底部设有与所述半导体芯片单元相应设置的通孔，所述通孔与相应的半导体芯片单元上的N型电子注入层相连，所述N型电极覆盖所述通孔及所述衬底底部。 

在优选的实施例中，所述N型电极包括：设置在所述通孔中的第一电极、及覆盖所述衬底底部的第二电极。 

在优选的实施例中，所述半导体芯片单元之间设置有进行电学隔离的电隔离沟槽。 

在优选的实施例中， 所述电气连接结构为铜镍金复合金属层，所述铜镍金复合金属层包括：形成于所述基板上的铜层、设置于所述铜层上的镍层、及设置于所述镍层上的金层。 

在优选的实施例中，所述镍层厚度为0.25-0.35μm，所述金层厚度为0.15-0.2μm。 

上述的半导体封装结构采用封装玻璃进行封装，相对有机材料有较好的同光性、高温稳定性及密封性。使用玻璃封装的半导体芯片的光线出射率更高，透光性更好，工作电流较大，抗高温能力强，不易老化，防潮气，能实现更为稳定可靠的半导体封装，特别如发光二极管的封装。 

附图说明

图1为本实用新型一实施例的半导体封装结构示意图； 

图2为本实用新型另一实施例的半导体封装结构示意图；

图3为本实用新型一实施例的半导体模块的示意图。

具体实施方式

如图1至图3所示，本实用新型一实施例的半导体封装结构100，包括：基板20、设置在基板20上的半导体模块40、封装半导体模块40上的封装玻璃60。 

进一步，本实施例的基板20与半导体模块40之间设置有电气连接结构80。 

如图3所示，进一步，本实施例的半导体模块40包括：多个半导体芯片单元42。进一步，本实施例的半导体芯片单元42包括：衬底420、及于衬底420上依次生长的低温缓冲层422、N型电子注入层424、多量子阱有源层426、电子阻挡层428、P型空穴注入层429、P型电极金属全发射层423。本实施例的半导体模块40优选为LED模块。半导体芯片单元42优选为LED芯片单元。 

进一步，本实施例的P型电极金属全发射层423上设置有P型电极425。 

进一步，本实施例的衬底420底部设置有N型电极427。进一步，本实施例的N型电极427与N型电子注入层424电性连接。 

进一步，本实施例中任意一半导体模块40中的所有半导体芯片单元42由同一衬底420连接，且相互之间电学隔离。