[实用新型]一种功率MOSFET的沟槽终端结构有效
| 申请号： | 201320254969.2 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN203260588U | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 沟槽 终端 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底（21）和位于衬底上的外延层（22），包括如下全部特征：
所述外延层（22）上具有第一沟槽（18）和第二沟槽（19）；在沟槽内有栅氧化层（23a）；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极（24a）；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板（24b）；
在第一沟槽（18）和第二沟槽（19）之间以及第一沟槽靠芯片边界（17）一侧具有体区（25）；在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区上面还有源区（27）；
在硅片表面还具备隔离氧化层（29），在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。
2.如权利要求1所述功率MOSFET的沟槽终端结构，其特征在于：所述隔离氧化层(29)材料为BPSG。
3.如权利要求1所述功率MOSFET的沟槽终端结构，其特征在于：所述衬底电阻率为1~3‰ohm.cm。
4.如权利要求1所述功率MOSFET的沟槽终端结构，其特征在于：所述衬底厚度为200微米。
5.如权利要求1所述功率MOSFET的沟槽终端结构，其特征在于：所述源级接触结构包括隔离氧化层上的金属接触孔(28)；在外延层上与金属接触孔相交的区域注入欧姆接触区(26)；以及从欧姆接触区穿过金属接触孔伸出隔离氧化层的金属引线（210）。
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