[实用新型]集成电路有效
申请号: | 201320263131.X | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN203377214U | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | S·乔布洛特;P·巴尔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;郑振 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包括:
半导体衬底,具有从第二表面被厚度间隔开的第一表面、在所述衬底的所述第二表面中形成的具有壁和底部的孔,所述孔延伸穿过所述衬底的所述厚度的至少50%;
导电材料,覆盖所述孔的所述壁和所述底部;
绝缘材料,在所述孔中位于所述导电材料之上;以及
共面线,形成于所述衬底的所述第二表面之上,所述共面线包括位于中心导体的相对侧上的第一侧部导体和第二侧部导体,所述中心导体在所述孔前面并且与所述孔平行,并且其中所述共面线的所述第一侧部导体和所述第二侧部导体电连接到所述孔的所述壁之上的所述导电材料。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述共面线的所述中心导体形成于所述绝缘材料前面,并且所述中心导体具有比所述孔的宽度更小的宽度。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述孔延伸穿过所述衬底的整个厚度。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,绝缘层在所述衬底与所述导电材料之间布置于所述孔中和所述第二表面上。
5.一种集成电路,其特征在于,包括:
半导体衬底,具有第一表面和相对的第二表面、延伸穿过所述衬底的所述第二表面的具有壁和底部的第一孔;
导电材料,位于所述第一孔的所述壁和所述底部之上;
绝缘材料,位于所述导电材料之上并且填充所述第一孔;
中心导体,位于所述衬底的所述第二表面之上,所述中心导体位于所述第一孔之上;以及
第一侧部导体和第二侧部导体,位于所述第二表面之上并且在所述中心导体的相对侧上并且在与所述中心导体平行的平面中。
6.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,所述衬底的所述第一表面从所述第二表面被厚度间隔开,所述第一孔穿过所述厚度的至少50%向所述衬底中延伸。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其特征在于,所述第一孔延伸穿过所述衬底的整个厚度。
8.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,还包括在所述第一孔的所述壁上并且位于所述衬底与所述导电材料之间的绝缘层。
9.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,所述第一侧部导体和所述第二侧部导体电连接到所述第一孔的所述壁之上的所述导电材料。
10.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,还包括:第二孔,所述第二孔形成于所述衬底的所述第二表面中,所述第二孔具有壁和底部;以及导电材料,所述导电材料位于所述第二孔的所述壁和所述底部之上。
11.根据权利要求10所述的集成电路,其特征在于,还包括在所述衬底的所述第一表面上的有源部件,在所述第二孔中的所述导电材料电耦合到所述有源部件中的一个。
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