[实用新型]晶粒分离装置有效
申请号: | 201320270448.6 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN203288566U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 朱玉萍;岑刚;朱国璋 | 申请(专利权)人: | 嘉兴景焱智能装备技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽;黄燕石 |
地址: | 314100 浙江省嘉兴市嘉善*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 分离 装置 | ||
1.一种晶粒分离装置,包括机座、凸轮和顶针,所述凸轮设置在机座内,所述凸轮由步进电机提供动力,所述顶针设置在所述机座的顶端,所述顶针的针尖面积小于待分离晶粒的面积,其特征在于:所述顶针与所述凸轮之间通过一个连杆相连接,在所述机座内设置一个弹簧座,在所述连杆与所述弹簧座之间设置一个推力弹簧,所述连杆通过所述推力弹簧使其产生一个向上推动顶针的顶力,所述凸轮的侧边开有凸轮槽,在所述凸轮槽内设置随动器,所述连杆的下端可转动连接在所述随动器上,当所述随动器位于凸轮槽的远心端时,所述连杆将所述顶针顶出机座的顶端,当所述随动器位于凸轮槽的近心端时,所述连杆将所述顶针拉回机座的顶端。
2.根据权利要求1所述的晶粒分离装置,其特征在于:在所述机座顶端设有多个气孔,所述气孔通过气路连接至一个气压装置,所述气压装置为所述气孔提供真空或正压。
3.根据权利要求1所述的晶粒分离装置,其特征在于:所述机座上部为柱形,在靠近机座顶端的柱形侧面设置多个MOS管加热。
4.根据权利要求3所述的晶粒分离装置,其特征在于:在所述机座上靠近其顶端的柱形内部设置温度传感器,所述温度传感器将温度信息传送给控制单元,所述控制单元根据温度传感器的信息控制所述MOS管的加热量,使所述机座的顶端保持一个恒定的温度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶粒分离装置,其特征在于:在所述机座的顶端的上方设置晶粒吸嘴。
6.根据权利要求5所述的晶粒分离装置,其特征在于:在所述凸轮的转轴上设置位置传感器,所述位置传感器将顶针的位置信息传送给控制单元,所述控制单元控制所述晶粒吸嘴在所述顶针位于最高位置时吸取所述晶粒。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的晶粒分离装置,其特征在于:所述顶针为2至4个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造