[实用新型]晶粒分离装置有效

专利信息
申请号: 201320270448.6 申请日: 2013-05-17
公开(公告)号: CN203288566U 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 朱玉萍;岑刚;朱国璋 申请(专利权)人: 嘉兴景焱智能装备技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽;黄燕石
地址: 314100 浙江省嘉兴市嘉善*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 晶粒 分离 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及集成电路芯片处理技术领域,特别是一种晶粒分离装置。

背景技术

较早的晶粒由于其颗粒小,底膜薄,针对这类晶粒的分离装置结构简单。随着大规模集成电路的普及,大颗粒和厚底膜的晶粒的分离要依靠分离装置来完成。针对晶粒面积较大,现有技术中使用多针且增加顶出高度的办法,针对底膜较厚采用加热软化的办法。这两种方法的结合虽然较好的解决了膜较厚且带有较强粘性较大的晶粒的分离,但是同时也存在很多不可靠的因素。

由于顶针的顶出机构要求速度较高,基本都是采用力限位的凸轮机构(因为型限位的凸轮要达到此精度很难加工而且运动过程中容易卡死),针座下面的连杆在一个线性滑套(一般为滚珠滑套)中滑动,当顶出高度增加时凸轮在回程(弹簧顶回)中容易卡住,这样很容易造成底膜被拉破,真空难以吸附,影响分离成功率。加热装置大多采用在下方吹热风的方式,温度不均匀,很难控制,分离的稳定性难以保障。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术问题,提供一种晶粒分离装置,以期通过形限位和力限位相结合实现晶粒的快速分离。

本实用新型采取的技术方案是:

一种晶粒分离装置,包括机座、凸轮和顶针,所述凸轮设置在机座内,所述凸轮由步进电机提供动力,所述顶针设置在所述机座的顶端,所述顶针的针尖面积小于待分离晶粒的面积,其特征是,所述顶针与所述凸轮之间通过一个连杆相连接,在所述机座内设置一个弹簧座,在所述连杆与所述弹簧座之间设置一个推力弹簧,所述连杆通过所述推力弹簧使其产生一个向上推动顶针的顶力,所述凸轮的侧边开有凸轮槽,在所述凸轮槽内设置随动器,所述连杆的下端可转动连接在所述随动器上,当所述随动器位于凸轮槽的远心端时,所述连杆将所述顶针顶出机座的顶端,当所述随动器位于凸轮槽的近心端时,所述连杆将所述顶针拉回机座的顶端。

进一步,在所述机座顶端设有多个气孔,所述气孔通过气路连接至一个气压装置,所述气压装置为所述气孔提供真空或正压。

进一步,所述机座上部为柱形,在靠近机座顶端的柱形侧面设置多个MOS管加热。

进一步,在所述机座上靠近其顶端的柱形内部设置温度传感器,所述温度传感器将温度信息传送给控制单元,所述控制单元根据温度传感器的信息控制所述MOS管的加热量,使所述机座的顶端保持一个恒定的温度。

进一步,在所述机座的顶端的上方设置晶粒吸嘴。

进一步,在所述凸轮的转轴上设置位置传感器,所述位置传感器将顶针的位置信息传送给控制单元,所述控制单元控制所述晶粒吸嘴在所述顶针位于最高位置时吸取所述晶粒。

进一步,所述顶针为2至4个。

本实用新型的有益效果是:

(1)依靠弹簧力将凸轮随动器压紧在型限位凸轮内圈上保证运动精度,同时回程靠型限位凸轮外圈卡回,这里型限位凸轮外圈不起精确定位作用,那么型限位凸轮槽与凸轮随动器之间的间隙可以放大,避免型限位凸轮本身容易卡的缺陷,同时对凸轮加工精度的要求大大降低,易于实现;

(2)在与晶粒底膜接触的吸附套管上使用MOS管加热同时采用温度控制模块来控制实时温度;

(3)通过位置传感器使吸嘴精确地吸取每个被分离出来晶粒。

附图说明

附图1为本实用新型的结构示意图;

附图2为附图1的A-A剖视图;

附图3为晶粒膜吸附于机座顶端的结构示意图;

附图4为晶粒被顶出后将被吸嘴吸走的结构示意图。

附图中的标记分别为:

1.机座;                             2.底座;

3.顶座;                             4.凸轮;

5.步进电机;                     6.顶端;

7.顶针;                             8.连杆;

9.弹簧座;                          10.推力弹簧;

11.凸轮槽;                        12. 随动器;

13. 气孔;                             14. MOS加热管;

15. 温度传感器;                 16. 转轴;

17. 位置传感器;                 18. 吸嘴;

100. 晶粒;                           101. 晶粒厚膜。

具体实施方式

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