[实用新型]一种量子点发光二极管及显示器件有效
申请号: | 201320295932.4 | 申请日: | 2013-05-27 |
公开(公告)号: | CN203250777U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 蔡佩芝 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;G09F9/33;G09G3/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 显示 器件 | ||
1.一种量子点发光二极管,其特征在于,包括:第一电极和第二电极,设置于两电极之间的量子点发光层,所述量子点发光层至少包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点,以及至少设置于所述红光量子点、所述绿光量子点以及所述蓝光量子点之间的黑矩阵;其中,所述第一电极和所述第二电极中位于出光一侧的电极至少为透明电极。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光层中的量子点包括硫化锌纳米半导体化合物;
其中,所述红光量子点包括粒径为10~12nm的所述硫化锌纳米半导体化合物,所述绿光量子点包括粒径为7~8nm的所述硫化锌纳米半导体化合物,所述蓝光量子点包括粒径为4~5nm的所述硫化锌纳米半导体化合物。
3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管,其特征在于,
所述黑矩阵将所述第一电极或所述第二电极分割成用于分别驱动各发光量子点的矩阵电极。
4.一种显示器件,其特征在于,设置在基板上的如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管。
5.根据权利要求4所述的显示器件,其特征在于,还包括设置于所述基板和所述量子点发光二极管中靠近所述基板的第一电极或第二电极之间的薄膜晶体管;
其中,所述薄膜基板管包括栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极,且所述漏极与所述第一电极和所述第二电极中的其中一个电极连接。
6.根据权利要求5所述的显示器件,其特征在于,所述漏极与所述靠近所述基板的第一电极或第二电极连接;
所述量子点发光二极管的黑矩阵设置于量子点发光层的红光量子点以及与所述红光量子点对应的所述靠近所述基板的第一电极或第二电极、绿光量子点以及与所述绿光量子点对应的所述靠近所述基板的第一电极或第二电极、蓝光量子点与所述蓝光量子点对应的所述靠近所述基板的第一电极或第二电极之间,且远离所述基板的所述第二电极或第一电极覆盖所述基板设置。
7.根据权利要求5所述的显示器件,其特征在于,所述有源层包括非晶硅半导体层,或金属氧化物半导体层,或低温多晶硅层,或高温多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的显示器件,其特征在于,在所述有源层包括非晶硅半导体层的情况下,所述有源层还包括欧姆接触层;或者
在所述有源层包括金属氧化物半导体层的情况下,所述薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层。
9.根据权利要求4至8任一项所述的显示器件,其特征在于,所述基板为不透明基板或透明基板。
10.根据权利要求9所述的显示器件,其特征在于,所述基板的材质为金属,或玻璃,或柔性材质。
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