[实用新型]一种量子点发光二极管及显示器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及显示器件。

背景技术

量子点(Quantum Dot，简称QD)通常是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒，受激后可以发射荧光，且发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，且其荧光强度和稳定性都很好，是一种很好的电致发光材料。量子点的种类很多，代表性的有II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe等和III-V族GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。

其制备方法主要有分子束外延法、金属有机化学气相沉淀法、自组织生长、以及胶体化学等，其中，可根据不同的化学条件制备出不同尺寸的量子点。

与一般有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示器件相比，量子点发光二极管显示器件(Quantum Dot Light-Emitting Display，简称QD-LED)是使用量子点发光层材料的显示设备。由于量子点为无机材料，可以克服有机发光材料对氧气和水汽敏感、稳定性差、寿命短、封装难度大等缺点，具有广阔的发展前景。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种量子点发光二极管及显示器件，可实现全彩化显示，并可有效提高像素开口率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种量子点发光二极管，包括第一电极和第二电极，设置于两电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层至少包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点，以及至少设置于所述红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点之间的黑矩阵；其中，所述第一电极和所述第二电极中位于出光一侧的电极至少为透明电极。

可选的，所述量子点发光层中的量子点包括硫化锌纳米半导体化合物；

其中，所述红光量子点包含的硫化锌纳米半导体化合物的粒径为10～12nm，所述绿光量子点包含的硫化锌纳米半导体化合物的粒径为7～8nm，所述蓝光量子点包含的硫化锌纳米半导体化合物的粒径为4～5nm。

进一步优选的，所述黑矩阵将所述第一电极或所述第二电极分割成用于分别驱动各发光量子点的矩阵电极。

一方面，提供一种显示器件，包括上述任一种所述的量子点发光二极管。

优选的，所述显示器件还包括设置于基板和所述量子点发光二极管中靠近所述基板的第一电极或第二电极之间的薄膜晶体管；

其中，所述薄膜基板管包括栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极，且所述漏极与所述第一电极和所述第二电极中的其中一个电极连接。

进一步优选的，所述量子点发光二极管的黑矩阵设置于量子点发光层的红光量子点以及与所述红光量子点对应的所述靠近所述基板的第一电极或第二电极、绿光量子点以及与所述绿光量子点对应的所述靠近所述基板的第一电极或第二电极、蓝光量子点与所述蓝光量子点对应的所述靠近所述基板的第一电极或第二电极之间，且远离所述基板的所述第二电极或第一电极覆盖所述基板设置。

可选的，所述有源层包括非晶硅半导体层，或金属氧化物半导体层，或低温多晶硅层，或高温多晶硅层。

进一步优选的，在所述有源层包括非晶硅半导体层的情况下，所述有源层还包括欧姆接触层；或者

在所述有源层包括金属氧化物半导体层的情况下，所述薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层。

可选的，所述基板为不透明基板或透明基板。

进一步可选的，所述基板的材质为金属，或玻璃，或柔性材质。

再一方面，提供一种量子点发光二极管的制备方法，该方法包括：在基板上形成第一电极和第二电极，在两电极之间形成量子点发光层，所述量子点发光层至少包括红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点，以及至少在所述红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点之间形成黑矩阵。

可选的，所述形成红光量子点包括：将粒径为10～12nm的硫化锌纳米半导体化合物溶解在有机溶剂中形成第一混合物，并将所述第一混合物涂布在基板上，经构图工艺处理，并在所述有机溶剂挥发后，形成所述红光量子点；

所述形成绿光量子点包括：将粒径为7～8nm的硫化锌纳米半导体化合物溶解在有机溶剂中形成第二混合物，并将所述第二混合物涂布在基板上，经构图工艺处理，并在所述有机溶剂挥发后，形成所述绿光量子点；