[实用新型]分区多靶磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201320303369.0 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN203411601U 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 刘玮;陈强;王守国 申请(专利权)人: 刘玮;陈强;王守国
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
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地址: 100049 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 分区 磁控溅射 设备
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种新型的分区多靶磁控溅射设备,尤其是指包含多个相互贯通又彼此独立的、底部为圆筒形状磁控溅射腔室的、以及传动导辊与真空壳体绝缘的连续溅射镀膜装置。

背景技术

磁控溅射是在真空中利用高能粒子轰击靶表面,使被轰击溅射出的靶离子沉积在基片上。溅射时,气体被电离之后,气体离子在电场的作用下飞向电极靶材,并以高能量轰击靶表面,使靶材料发生溅射,溅射出的靶粒子沉积在衬底上。磁控溅射包括多种类型,各有不同的工作原理和应用对象。

磁控溅射在制备多层复合膜时,如果在同一个腔室中进行,即便在靶之间采用隔离挡板,也时常会造成各层的交叉污染,从而影响薄膜器件的质量;此外,在溅射过程中,由于在衬底和靶之间通常无辅助电场,因此沉积的薄膜与衬底之间的结合力并不理想。

本实用新型,采用多个分区并通过过渡导辊传动的真空室设计,在每个中间靶腔室中安装同一种靶材料电极,彻底避免了多个不同靶在同一个真空室所造成的交叉污染问题,另外膜导辊的两端是安装在与真空壳体绝缘的两个带有轴承的支架上,在导辊和壳体之间可以加入电场偏压,可以大大提高溅射的薄膜致密度和与衬底的结合力;采用圆筒结构的腔室,并且靶电极放置在圆筒的底部,会避免电极局部烧蚀所带来的大颗粒污染,这种结构与平直的镀膜设备比较,设备占地空间较小。

本使用新型的优点是:(1)分区靶磁控溅射,有效避免多层薄膜的交叉污染。(2)衬底和靶极之间的偏压电场可以提高溅射效率,提高薄膜的致密度以及与衬底材料的结合力。(3)两端的收放卷结构,便于连续处理,设备占地面积相对较小,易于维护。

实用新型内容

考虑到现有技术所存在的问题,本实用新型的目的在于一种分区多靶磁控溅射设备,包括一个真空腔体、靶电极、导辊、电源、真空系统等,其特征是:在一个相互贯通的真空腔体的两端分别设有放卷室和收卷室,在其中部设有多个分区并贯通的中间靶腔室,每个中间靶腔室的底部为圆筒形状,在圆筒底部和侧面设有相同靶材料的长条形磁控溅射靶电极,在中间靶腔室中设有一个导辊,该导辊的两端是安装在带有轴承的支架上,该支架通过绝缘材料与真空壳体绝缘,在导辊和壳体之间可以施加电场偏压,在收放卷之间的薄膜由电机带动,通过导辊穿过彼此贯通的腔室,靶材料通过放电溅射出靶粒子沉积到卷绕在导辊的膜片上。

所述的一种分区多靶磁控溅射设备,包括一个真空腔体、靶电极、导辊、电源、真空系统等,其特征是:一个真空腔体是由分别安装在两端的放卷室和收卷室,以及多个分区并贯通的靶腔室构成,该真空腔体设有与抽气系统连接的接口,以及连接电源的接口。

所述的一种分区多靶磁控溅射设备,包括一个真空腔体、靶电极、导辊、电源、真空系统等,其特征是:每个中间靶腔室的底部为圆筒形状,在圆筒底部和侧面设有相同靶材料的长条形磁控溅射靶电极,该靶电极与真空腔体通过绝缘材料绝缘,它可以与射频、也可以与高频以及直流电源连接。

所述的一种分区多靶磁控溅射设备,包括一个真空腔体、靶电极、导辊、电源、真空系统等,其特征是:在中间靶腔室中设有一个导辊,该导辊的两端是安装在带有轴承的支架上,该支架通过绝缘材料与真空壳体绝缘,在导辊与真空壳体之间可以加入偏压,也可以通过导线连为一体。

所述的一种分区多靶磁控溅射设备,包括一个真空腔体、靶电极、导辊、电源、真空系统等,其特征是:在收放卷之间的薄膜由电机带动,通过导辊穿过彼此贯通的腔室,在中间两个腔室,传动辊上加有纠偏装置。

所述的一种分区多靶磁控溅射设备,包括一个真空腔体、靶电极、导辊、电源、真空系统等,其特征是:该真空腔体设有与抽气系统连接的接口,该真空系统的真空泵组分别安装在设备的两端。

附图说明

下面结合附图对本实用新型进行进一步的描述,其中:

图1为本实用新型实施例:一种分区多靶磁控溅射设备结构示意图;

图2为本实用新型实施例:导棍安装结构示意图。

具体实施方式:

下面参照附图,结合具体的实施例对本实用新型进行详细的描述。

首先,参阅图1和图2,一种分区多靶磁控溅射设备,是在一个相互贯通的真空腔体100的两端分别设有放卷室101和收卷室102,在其中部设有多个分区并贯通的中间靶腔室103,每个中间靶腔室的底部为圆筒形状,在圆筒底部和侧面设有相同靶材料的长条形磁控溅射靶电极111,它可以与射频、也可以与高频以及直流电源连接。

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