[实用新型]一种用于存放薄晶圆片的周转存储盒

说明书

技术领域

本实用新型涉及专门适用于特殊物件或物料的容器、包装元件或包装件技术领域。

背景技术

半导体工艺流程中，虽然器件或电路芯片大部分是在半导体基体材料的浅表面层上制造的，但在数十、上百道工艺流程中，为了保证对晶圆片表面加工的精度、结构等要求并避免工艺中晶圆片的破碎，一般采用一定厚度的晶圆片在工艺过程中传递、流片。由于寄生电阻等的存在，芯片电路工作时会产生热量，温度升高，而互联金属与半导体材料、半导体材料与封装材料之间不同的热膨胀系数，会产生内应力导致芯片破裂或损坏。通过背面减薄工艺，可以减低芯片热阻，提高散热性能，降低芯片因过应力造成的破损风险，而且经过减薄后的晶圆片更易于充分发挥芯片的性能，有利于提高器件或电路的整体质量和成品率。

现今，随着工艺的发展，人们对超薄晶圆片的要求越来越高，当晶圆片减薄至一百微米左右，甚至数十微米厚时，在后续的工艺流片中，受内应力的作用，减薄后的晶圆片只要经受轻微的碰撞就很可能碎裂，其上的器件就可能报废。以一直径4英寸的GaAs片计算，正面采用常规GaAs工艺，完成背面减薄后，一旦报废，其损失一般可高达十万元以上。

现在，在后续的流片、传送过程中，减薄晶圆片采用的载体一般有两种：一种是与减薄晶圆片尺寸相当的片盒，一种是干净的培养皿。若用片盒存放，因其主要是为避免单晶片表面划伤而设计，只适用于比较厚的晶圆片存放，减薄后的晶圆片厚度明显变薄，对较大直径的晶圆片来说，更容易发生明显的翘曲，一旦受到挤压，就很可能碎裂。若用培养皿存放，晶圆片直径如果与培养皿内径相当，取放减薄后的晶圆片将很困难，稍有不慎就会造成片子的破裂；如果直径不匹配，则减薄后的晶圆片会在培养皿内随意滑动，就有可能与培养皿侧壁发生碰撞，也易导致破碎；同时由于培养皿一般比较高，不利于减薄后的晶圆片的放入与取出，多个培养皿的叠放既不安全也会导致存放空间占用过多。减薄后的晶圆片破碎后即使不报废，也将成倍增加后续的工作量，并会造成总成品率的下降和成本的上升。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于存放薄晶圆片的周转存储盒，使用所述存储盒转运薄晶圆片，能够有效保证薄晶圆片的安全且取放薄晶圆片方便。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种用于存放薄晶圆片的周转存储盒，其特征在于包括盒体和盒盖，所述盒体上设有舱室平台，舱室平台为一个平滑的圆形平台，平台的直径大于薄晶圆片的直径，沿舱室平台外周的部分弧将盒体分为高低两部分，在盒体低的部分设有取放口，取放口为一条设置在舱室平台外侧的弧形凹槽，所述凹槽紧挨着舱室平台，取放口的高度大于舱室平台的高度，所述盒盖也分为高低两部分，盒盖低的部分与盒体高的部分相适配，盒盖高的部分与盒体低的部分相适配。

优选的：所述盒体沿舱室平台的一条直径分为高低两部分，在盒体高的部分，舱室平台的周围为陡直的边沿，边沿的高度大于薄晶圆片的翘曲高度，在盒体低的部分，舱室平台的周围为取放口，取放口为半圆形凹槽，取放口的高度大于舱室平台的高度，高度差为1mm-5mm，半圆形凹槽在远离舱室平台的一侧设有斜面，斜面的上沿与盒体低部分的上表面平齐，斜面的下沿高于舱室平台。

优选的：在盒盖高的部分与取放口相对应的位置上设有与取放口相适配的阻挡棱。

优选的：所述盒体的上表面设有第一定位棱，所述第一定位棱位于所述盒体高的部分上，所述盒体的下表面设有定位槽；所述盒盖的上表面设有第二定位棱，第一定位棱与第二定位棱组合成的形状与定位槽相适配。

优选的：盒体低的部分上设有第一锁孔，在盒盖上与第一锁孔相对应的位置设有第二锁孔。

优选的：所述斜面为45°斜面。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述存储盒包括盒体和盒盖，盒体分为高低两部分，盒体高的部分与用于放置薄晶圆片的舱室平台具有一定的高度差，此高度差的大小与薄晶圆片的翘曲程度有关，当薄晶圆片放置在盒体与盒盖形成的舱室内时可有效防止触碰薄晶圆片，可防止其在转运的过程中触碰到薄晶圆片，有效保证了薄晶圆片的安全。