[实用新型]改良下导线结构的二极管组件有效
| 申请号： | 201320325746.0 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN203288582U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘承苍;黄明德;吴彦呈 | 申请（专利权）人： | 和黄科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人： | 陆式敬 |
| 地址： | 中国台湾宜兰县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改良 导线 结构 二极管 组件 | ||
【权利要求书】：
1.一种改良下导线结构的二极管组件，其特征在于包含：设有一阶梯状上导线，所述上导线设有一第一接触面，并于所述第一接触面下方设有一下导线，所述下导线设有一邻近所述第一接触面的第二接触面及一相对于所述第二接触面的底面，并于所述底面上设有相邻的一切槽及一裸露部；所述第一接触面与第二接触面之间电接触一晶体，并另设有一封装体，包覆所述晶体及部分上导线和下导线，使所述裸露部外露于所述封装体。
2.根据权利要求1所述的改良下导线结构的二极管组件，其特征在于：所述上导线设有一承载端及一延伸端，并于中间区段经过二次弯折，使所述承载端与延伸端形成具有高低落差的阶梯状结构。
3.根据权利要求2所述的改良下导线结构的二极管组件，其特征在于：所述承载端的下底面形成所述第一接触面，并于所述第一接触面上设有一外凸于表面的接触凸块。
4.根据权利要求1所述的改良下导线结构的二极管组件，其特征在于：所述底面以冲压的方式，于表面形成所述切槽。
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