[实用新型]改良下导线结构的二极管组件有效
申请号: | 201320325746.0 | 申请日: | 2013-06-07 |
公开(公告)号: | CN203288582U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 刘承苍;黄明德;吴彦呈 | 申请(专利权)人: | 和黄科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49 |
代理公司: | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人: | 陆式敬 |
地址: | 中国台湾宜兰县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改良 导线 结构 二极管 组件 | ||
技术领域
本实用新型有关于一种二极管组件,尤指一种改良其下导线结构后,使其能与其他种类二极管组件通用上导线的二极管组件。
背景技术
现有的二极管组件,以底部的导线裸露于封装体表面的样态,可大致区分为两种类型:
其中第一种类型,请参考图1A至图1C所示,主要设有一阶梯状上导线10及一阶梯状下导线11,且所述上导线10与下导线11之间电接触一晶体12,并将所述晶体12及上、下导线10、11封装于一封装体13中,使所述上导线10及下导线11的底部裸露于外,如第1C图所示。
第二种类型,请参考图2A至图2C所示,主要设有一阶梯状上导线20及一平直型下导线21,所述下导线21设在所述上导线20的下方,且于所述上导线20与下导线21之间共同电接触一晶体22,并将所述晶体22及部分上、下导线20、21共同封装于一封装体23中,使部分所述上导线20及所述下导线21整体底部裸露于外,如第2C图所示。
比较图1C及图2C可知,图2C所示下导线裸露于外的部分较图1C的部分多。而构成这两种不同样态的主要原因在于所述两种类型的二极管组件下导线结构不同,第一种类型的下导线设为一种阶梯状的结构,而第二种类型的下导线系为一种平直型的结构。
再比较图1B及图2B可知,所述第一种类型的上导线为了配合下导线阶梯状的高度,必须使用梯阶高度更高的上导线,使得第一种类型的上导线与第二种类型的上导线无法通用同一种上导线,而必须另外开模铸造两种不同阶高的上导线结构。
再者,由于所述两种类型的二极管组件具有不同的功能,两种都是现行市场中皆需求的必要组件。有鉴于此,实有必要创造一种能与所述第二种二极管组件共享同一种上导线结构的二极管组件,并使其封装于封装体内时,能达到底部与第一种二极管组件相同的结构样态。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种改良下导线结构的二极管组件,利用其改良后的下导线结构,使其上导线能与其他类型的二极管组件通用,进而避免额外开模铸造不同的上导线结构,以降低生产成本,同时缩减二极管组件的厚度,使得二极管更为方便使用。
为达所述目的,本实用新型改良下导线结构的二极管组件,主要包含一阶梯状上导线,设有一用以形成电接触的第一接触面,且所述第一接触面下方设有一下导线,所述下导线具有一邻近所述第一接触面的第二接触面及一相对于所述第二接触面的底面,并于所述底面上设有一以冲压的方式形成于底面表面的切槽,且接续于所述切槽处设有一裸露部;所述第一接触面与第二接触面之间另电接触一晶体,并设有一封装体,包覆所述晶体及部分上导线和下导线,使所述裸露部外露于所述封装体。
于本实用新型一较佳实施例中,所述上导线设有一承载端及一延伸端,并于中间区段经过二次弯折,使所述承载端与延伸端形成具有高低落差的阶梯状结构,且所述承载端的下底面形成所述第一接触面,并于所述第一接触面上设有一外凸于表面的接触凸块。
本实用新型的特点在于利用所述改良后的下导线,使得本实用新型的上导线梯阶高度降低,而可以与现有的二极管组件通用同一种上导线结构,以制作成不同类型的二极管组件,进而达到降低生产成本及缩减二极管组件厚度的功效。
附图说明
图1A为现有第一种类型二极管组件的立体图;
图1B为现有第一种类型二极管组件的侧视图;
图1C为现有第一种类型二极管组件的仰视图;
图2A为现有第二种类型二极管组件的立体图;
图2B为现有第二种类型二极管组件的侧视图;
图2C为现有第二种类型二极管组件的仰视图;
图3A为本实用新型二极管组件的立体图;
图3B为本实用新型二极管组件的侧视图;
图3C为本实用新型二极管组件的仰视图。
【主要组件符号说明】
10---上导线
11---下导线
12---晶体
13---封装体
20---上导线
21---下导线
22---晶体
23---封装体
30---上导线
31---承载端
311---第一接触面
312---接触凸块
32---延伸端
40---下导线
41---第二接触面
42---底面
421---切槽
422---裸露部
50---晶体
60---封装体。
具体实施方式
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